一种检测刻蚀残留的方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种检测刻蚀残留的方法，涉及显示技术领域，可实现检测刻蚀残留的目的，从而提高产品良率；该方法包括获取待检测处的图案；对所述待检测处的图案进行红外光谱测试，得到红外光谱图;根据所述红外光谱图，判断是否存在残留物质。用于制备阵列基板或对盒基板过程中刻蚀残留的检测。

【技术实现步骤摘要】
一种检测刻蚀残留的方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种检测刻蚀残留的方法。
技术介绍
在阵列基板和对盒基板的制备过程中，构图工艺是必不可少的步骤，一般构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、以及刻蚀，在刻蚀工序中如果刻蚀均匀性不好常会导致出现刻蚀残留问题；其中，所述刻蚀残留是指在构图工艺结束后，需要全部去除的膜层没有完全去除，即仍有部分残留。例如，对于底栅型阵列基板，其形成过程可以包括:在基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极、以及保护层和像素电极，其中所述有源层可以包括非晶硅层和n+非晶硅层，像素电极通过设置在保护层上的过孔与所述漏极连接。其中，在刻蚀形成n+非晶硅层时，与所述源极和漏极之间间隙对应的n+非晶硅需要完全刻蚀掉，但刻蚀工序后经常会出现该处n+非晶硅刻蚀不完全的现象，这将会导致最终制备的阵列基板结构改变，从而产生不良品。此外，在刻蚀形成位于保护层上的过孔时，所述过孔处的保护层物质例如氮化硅也需要完全刻蚀掉，但刻蚀工序后也经常会出现过孔刻蚀不完全现象，从而导致该过孔不能连接像素电极和漏极，产生不良品。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种检测刻蚀残留的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测刻蚀残留的方法，其特征在于，包括：?获取待检测处的图案；?对所述待检测处的图案进行红外光谱测试，得到红外光谱图；?根据所述红外光谱图，判断是否存在残留物质。

【技术特征摘要】
1.一种检测刻蚀残留的方法，其特征在于，包括：获取待检测处的图案，包括：采用膜层色差拟合出所述待检测处的图案的边界，并对所述待检测处的图案进行定位；对所述待检测处的图案进行红外光谱测试，得到红外光谱图；根据所述红外光谱图，判断是否存在残留物质；所述对所述待检测处的图案进行红外光谱测试包括：采用傅里叶变换红外光谱仪对所述待检测处的图案进行红外光谱测试；所述对所述待检测处的图案进行红外光谱测试，得到红外光谱图之前，获取所述待检测处的图案之后，所述方法还包括：通过设置与所述待检测处的图案对应的光阑，将所述傅里叶变换红外光谱仪的入射光限定在所述待检测处；所述光阑的透光部分的形状与所述待检测处的图案的形状相同，且面积小于等于所述待检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：王琳琳，陈曦，王守坤，袁剑峰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：