半导体发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了具有高发射效率、出色的稳定性和温度性能，且产生足以用于实用的高显色性能的光的发光装置。此半导体发光装置(1)包含发射蓝光的半导体发光元件(2)、吸收所述蓝光并发射绿光的绿色荧光体(14)、和吸收所述蓝光并发射橙光的橙色荧光体(13)，且其特征在于，所述橙色荧光体是具有在595至620nm的范围内的发射光谱峰波长的Eu-活化α-SiAlON荧光体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉村健一，高桥向星，福永浩史，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：
国别省市：