液晶显示装置制造方法及图纸

技术编号:9170173 阅读:142 留言:0更新日期:2013-09-19 18:29
本发明专利技术提供一种横向电场型的液晶显示装置,其通过与基板实质上平行的横向电场旋转均匀排列的液晶执行显示,将所述横向电场施加至像素电极上,以便确保充分的存储电容的同时扩大在子像素内的驱动液晶分子的区域。连接至源电极的源像素电极沿数据线延伸,通过与数据线相同的层形成的存储电容电极形成在相邻的扫描线之上以便与相邻的扫描线重叠,源像素电极设置成以便与存储电容电极连接并沿一侧连接像素,在源像素电极之上形成夹层膜,并且由透明导电膜形成的像素电极和公共电极形成在夹层膜之上。像素电极经由通孔连接至源像素电极。通过沿扫描线的延伸方向延伸的梳齿状电极,可以获得高的孔径比。

【技术实现步骤摘要】
液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示装置,并且更具体地涉及有源矩阵型液晶显示装置,其中用实质上垂直于薄膜晶体管基板的电场驱动液晶分子。
技术介绍
广泛地使用的扭转向列(TN)型的液晶显示装置具有高对比度,但是另一方面存在高视角依赖性的问题,因为液晶的分子轴由于垂直电场而升高。因为近年来对大尺寸的TV监视器等的需求不断增加,所谓的横向电场型液晶面板(例如IPS(面内开关)型或FFS型)不断扩散,在这种面板中将与设置薄膜晶体管(下文中称为TFT)的基板实质上平行的电场施加至液晶分子以驱动该分子。例如,IPS型的横向电场型液晶显示器面板在基板上具有实质上平行于数据线或扫描线的多个像素电极,以及与所述像素电极成对的公共电极。通过在像素电极和公共电极之间形成与基板实质上平行的电场,液晶分子在平行于基板的平面内转动,由此控制显示。通过以此方式驱动液晶分子,消除了相对于分子轴的上升角度的视角依赖性。相比TN型,视角特性更加有利。在这种液晶显示装置中,优选在更大的范围内驱动液晶分子。例如,专利文献1公开一种在较宽区域内驱动液晶材料的技术,该液晶材料被设置成在设置TFT的基板和与该基板相对的相对基板之本文档来自技高网...
液晶显示装置

【技术保护点】
一种横向电场型液晶显示装置,其通过横向电场旋转水平排列的液晶来执行显示,在像素电极和公共电极上施加所述横向电场并且所述横向电场与基板实质上平行,所述液晶显示装置包括:基板,具有平行地设置的多个数据线和与数据线实质上垂直并且彼此平行地设置的多个扫描线,并且具有与相应的子像素相对应的薄膜晶体管,所述子像素排列在由数据线和扫描线围绕的矩阵内并设置在数据线和扫描线之间的交叉点周围;电位供应线,在子像素区域内沿数据线延伸并连接至薄膜晶体管的源电极;以及存储电容电极,接续至电位供应线,经由绝缘层设置在扫描线之上,并在扫描线和存储电容电极自身之间产生电容,其中,像素电极具有像素电极第一部分和像素电极第二部分...

【技术特征摘要】
2012.03.14 JP 2012-0580371.一种横向电场型液晶显示装置,其通过横向电场旋转水平排列的液晶来执行显示,在像素电极和公共电极上施加所述横向电场并且所述横向电场与基板实质上平行,所述液晶显示装置包括:基板,具有平行地设置的多个数据线和与数据线实质上垂直并且彼此平行地设置的多个扫描线,并且具有与相应的子像素相对应的薄膜晶体管,所述子像素排列在由数据线和扫描线围绕的矩阵内并设置在数据线和扫描线之间的交叉点周围;电位供应线,在子像素区域内沿数据线延伸并连接至薄膜晶体管的源电极;以及存储电容电极,在数据线和扫描线的交叉点处接续至电位供应线,经由绝缘层设置在扫描线之上,并在扫描线和存储电容电极自身之间产生电容,其中,电位供应线和存储电容电极实质上形成L形的形状,像素电极具有像素电极第一部分和像素电极第二部分,像素电极第一部分设置在子像素区域中电位供应线之上的层中并且线性地形成为与扫描线实质上平行,像素电极第二部分接续至像素电极第一部分,与数据线平行地形成,并且连接至电位供应线,公共电极具有公共电极第一部分和公共电极第二部分,公共电极第一部分排列为与像素电极第一部分相对地,与像素电极第一部分间隔开相同的距离,并且产生与基板实质上平行的电场,以及公共电极第二部分接续至公共电极第一部分并经由绝缘膜设置在存储电容电极之上。2.根据权利要求1的液晶显示装置,其中存储电容电极覆盖扫描线,并且公共电极第二部分覆盖存储电容电极。3.根据权利要求1的液晶显示装置,其中将多个数据线的间隔设置成比多个扫描线的间隔大。4.一种横向电场型液晶显示装置,其通过横向电场旋转水平排列的液晶来执行显示,在像素电极和公共电极上施加所述横向电场并且所述横向电场与基板实质上平行,所述液晶显示装置包括:基板,具有平行地设置的多个数据线和与数据线实质上垂直并且彼此平行地设置的多个扫描线,并且具有与相应的子像素相对应的薄膜晶体管,所述子像素排列在由数据线和扫描线围绕的矩阵内并且设置在数据线和扫描线之间的交叉点周围;电位供应线,在子像素区域内沿数据线延伸并连接至薄膜晶体管的源电极...

【专利技术属性】
技术研发人员:西田真一田口尚之渡边贵彦
申请(专利权)人:NLT科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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