用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线制造方法及图纸

技术编号:9144486 阅读:163 留言:0更新日期:2013-09-12 05:52
本发明专利技术涉及用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线。在用于球焊的铜线中,改善二次接合性、防止球焊中的芯片破裂以及改善成环性能。在通过将熔融的含有高纯度铜(Cu)、包含0.1至2.0质量%的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)及必要时1至5质量ppm的磷(P)的铜-铂合金连续铸造而制备元素线的过程中,不含铂的非常薄的铜层由于偏析而形成,并随后在大气中被氧化而在连续拉丝后的线表面层上形成6至2nm的氧化物膜。作为具有77至105Hv维氏硬度的接合线,均匀的氧化物膜改善了二次接合性,且向基体中添加的元素抑制了球焊期间的动态强度,由此防止了铝飞溅,并且保持了不导致倾斜的静态强度。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线
本专利技术涉及一种用于通过超声辅助热压接合将半导体元件上的盘电极与外部电极彼此连接的铜合金线,特别地,涉及一种铜-铂合金线,其中小量铂(Pt)固溶在富含纯度为99.995质量%以上的铜(Cu)的基体中。
技术介绍
随着近来金价格的上涨,铜合金线作为至今已被使用的4N金合金线的替代品,正在再次吸引注意。在对常规的铜合金线所采用的常规超声辅助热压接合中,通过在将铜合金接合线在非氧化气氛如氮气气氛和混合了氢的氮气气氛下保持在铝盘上的同时经过电弧加热输入将该线的端部加热熔融,通过表面张力形成球,随后用超硬工具将线的球部分压向在150℃至300℃的范围内被加热的半导体元件的电极,以借助加压负荷和来自超硬工具的超声波振动能量,获得铜合金线与铝盘的接合。施加超声波的效果是,扩大用于促进铜合金线变形的接合面积,以及在通过破坏和除去在铜-铂合金线的表面上形成的约100nm的表面氧化物膜而将在较下方表面处的铜(Cu)等金属原子露出、并通过在铜-铂合金线表面与面对并接触该表面的接合盘之间的界面上产生塑性流动而逐渐增大彼此紧密接触的新形成的表面的同时,获得铜合金线和铝盘本文档来自技高网...
用于半导体装置中的连接的铜-铂合金线

【技术保护点】
一种用于在半导体装置中的球焊的铜?铂合金线,所述铜?铂合金线是用于半导体装置的铜?铂二元合金线,所述铜?铂二元合金线包含铂(Pt)和余量的纯度为99.995质量%以上的铜(Cu),并且可通过连续拉丝获得,其中,作为金属元素的0.1至2.0质量%的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)固溶在所述铜?铂合金线的铜(Cu)基体中,且6nm以下的氧化物膜覆盖表面层。

【技术特征摘要】
2012.09.28 JP 2012-2178791.一种用于在半导体装置中的球焊的铜-铂合金线,所述铜-铂合金线是用于半导体装置的铜-铂二元合金线,所述铜-铂二元合金线包含铂(Pt)和余量的纯度为99.995质量%以上的铜(Cu),并且通过连续拉丝获得,其中,作为金属元素的0.1至2.0质量%的铂(Pt)以及作为非金属元素的1至10质量ppm的硫(S)和10至150质量ppm的氧(O)固溶在所述铜-铂合金线的铜(Cu)基体中,且所述铜-铂合金线的表面层被6nm以下的铜氧化物膜覆盖。2.一种用于在半导体装置中的球焊的铜-铂合金线,所述铜-铂合金线是用于半导体装置的铜-铂二元合金线,所述铜-铂二元合金线包含铂(Pt)以及余量的纯度为99.995质量%以上的铜(Cu),并通过连续拉丝获得,其中,作为金属元素的0.1至2.0质量%的铂(Pt)...

【专利技术属性】
技术研发人员:天野裕之三上道孝冈崎纯一滨本拓也中岛伸一郎山下勉三苫修一小野甲介刘斌执行裕之
申请(专利权)人:田中电子工业株式会社
类型:发明
国别省市:

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