【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种改善半导体器件不同区域关键尺寸差异的方法,应用于多晶硅的厚硬掩膜刻蚀工艺中,其特征在于,所述方法包括:提供一具有多晶硅层的衬底,且该多晶硅层的上表面覆盖有厚硬掩膜;其中,所述厚硬掩膜包括氮化硅层和氧化硅层,所述氮化硅层覆盖所述多晶硅层的上表面,所述氧化硅层覆盖所述氮化硅层的上表面;采用各向异性的等离子体对所述氧化硅层进行干法刻蚀,部分去除所述氧化硅层至所述氮化硅层的上表面;继续采用各向同性的等离子体对所述氮化硅层进行干法刻蚀,以去除暴露的氮化硅层至所述多晶硅层的上表面,于所述多晶硅层的上表面形成掩膜图案。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:高慧慧,秦伟,杨渝书,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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