基于场效应管的放大器电路制造技术

技术编号:9131112 阅读:185 留言:0更新日期:2013-09-06 00:44
本实用新型专利技术公开了一种基于场效应管的放大器电路,包括直流电源、运算放大器、MOS管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一二极管、第二二极管、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第四电容器、第五电容器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第五电阻器、第六电阻器、第七电阻器、第八电阻器、第九电阻器、第十电阻器、第十一电阻器、第十二电阻器、第十三电阻器、第十四电阻器、第十五电阻器和第十六电阻器。本实用新型专利技术通过采用场效应管使放大器增大抗干扰的能力;本实用新型专利技术具有电路结构简单、抗干扰能力较强和使用寿命较长的优点。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于场效应管的放大器电路,其特征在于:包括直流电源、运算放大器、MOS管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一二极管、第二二极管、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第四电容器、第五电容器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第五电阻器、第六电阻器、第七电阻器、第八电阻器、第九电阻器、第十电阻器、第十一电阻器、第十二电阻器、第十三电阻器、第十四电阻器、第十五电阻器和第十六电阻器,所述直流电源的正极输出端分别与所述MOS管的集电极、所述第五电阻器的第一端、所述第七电阻器的第一端、所述第三电容器的第一端、所述第十电阻器的第一端和所述第四晶体管的集电极连接,所述第四晶体管的发射极串联所述第十二电阻器后分别与所述第十三电阻器的第一端、所述第十四电阻器的第一端、所述第十六电阻器的第一端和负极输出端连接,所述第十四电阻器的第二端分别与所述第十五电阻器的第一端、所述第二晶体管的发射极和所述第六电阻器的第一端连接,所述第十三电阻器的第二端与所述第五晶体管的发射极连接,所述第五晶体管的基极分别与所述第二二极管的负极和所述第十一电阻器的第一端连接,所述第二二极管的正极分别与所述第一二极管的负极、所述第三晶体管的集电极和所述第八电阻器的第一端连接,所述第一二极管的正极分别与所述第十电阻器的第二端和所述第四晶体管的基极连接,所述第三晶体管的基极分别与所述第五电阻器的第二端和所述第二晶体管的集电极连接,所述第二晶体管的基极分别与所述MOS管的基极和所述第一晶体管的集电极连接,所述第一晶体管的发射极与所述第四电阻器的第一端连接,所述第一晶体管的基极分别与所述第二电阻器的第一端、所述第三电阻器的第一端和所述第一电容器的第一端连接,所述第二电阻器的第二端分别与所述第四电阻器的第二端、所述第六电阻器的第二端、所述第八电阻器的第二端、所 述第十一电阻器的第二端、所述第五晶体管的集电极和所述直流电源的负极输出端连接,所述第三电阻器的第二端分别与所述运算放大器的信号输出端和所述第二电容器的第一端连接,所述第二电容器的第二端分别与所述运算放大器的反相输入端和所述第九电阻器的第一端连接,所述第九电阻器的第二端分别与所述第四电容器的第一端和所述第一电阻器的第一端连接,所述第一电阻器的第二端分别与所述MOS管的发射极和负极输出端连接,所述运算放大器的正相输入端分别与所述第五电容器的第一端和所述第十六电阻器的第二端连接,所述第一电容器的第二端、所述第四电容器的第二端、所述第五电容器的第二端和所述第十五电阻器的第二端均与所述直流电源的负极输出端连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:樊勇
申请(专利权)人:成都龙腾中远信息技术有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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