一种接地体之间接触不良的试验装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种接地体之间接触不良的试验装置，其中包含高压导体和不良接地体模型。高压导体包含高压导体本体和设置在高压导体本体一端的凸台；所述高压导体本体内设有空腔；所述凸台外径小于高压导体本体。不良接地体模型包含连接柱；接地体，所述接地体一端与连接柱连接，其另一端接地；套置在连接柱外壁上的多个螺母。连接柱外壁上设有外螺纹。各所述螺母之间的距离可以调节。本实用新型专利技术能够模拟接地体之间一点或多点接触不良的状况，能够模拟高压导体与不良接地体之间的放电情况，并且模拟的真实度较高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种接地体之间接触不良的试验装置，其特征在于，包含高压导体（1）和不良接地体模型（2）；所述高压导体（1）包含高压导体本体（11）和设置在高压导体本体（11）一端的凸台（12）；所述不良接地体模型（2）包含连接柱（22）；接地体（21），所述接地体（21）一端与连接柱（22）连接，其另一端接地；套置在连接柱（22）外壁上的多个螺母（23）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邱永刚，华月申，都泓蔚，张华，殷立军，常鹏，孙阳盛，
申请(专利权)人：国家电网公司，上海市电力公司，
类型：实用新型
国别省市：