像素电路、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:9103236 阅读:117 留言:0更新日期:2013-08-30 20:38
本实用新型专利技术提供一种像素电路、阵列基板及显示装置,属于有机发光显示技术领域。本实用新型专利技术的像素电路包括:驱动晶体管、第一开关晶体管、存储电容、发光器件;像素电路还包括阈值补偿电路;阈值补偿电路由第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管以及耦合电容构成;其可以有效地补偿驱动晶体管阈值电压不均匀性。本实用新型专利技术的阵列基板,包括上述像素单元电路,性能更加稳定。本实用新型专利技术的显示装置包括上述显示装置的阵列基板,画面均匀性大大提高。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于有机发光显示
,具体涉及一种像素电路、阵列基板及显示装置
技术介绍
有机发光显示器(Organic Light Emitting Diode,0LED)相比现在的主流显示技术薄膜晶体管液晶显不器(Thin Film Transisitor Liquid Crystal Display, TFT-LCD),具有广视角、高亮度、高对比度、低能耗、体积更轻薄等优点,是目前平板显示技术关注的焦点。有机发光显示器的驱动方法分为被动矩阵式(PM,Passive Matrix)和主动矩阵式(AM, Active Matrix)两种。而相比被动矩阵式驱动,主动矩阵式驱动具有显示信息量大、功耗低、器件寿命长、画面对比度高等优点。现有技术的一种主动矩阵式有机发光显示器的像素单元驱动电路的等效电路,如图1所示,包括:第一开关晶体管Ml、驱动晶体管M2、存储电容Cl以及发光器件D1。其中,第一开关晶体管Ml的漏极与驱动晶体管M2的栅极连接;驱动晶体管M2的栅极同时连接存储电容Cl的一端,其源极与存储电容Cl另一端连接,其漏极与发光器件Dl连接。第一开关晶体管Ml在栅极被扫描信号Vscan (n)选通时打开,从源极引入数据信号Vdata。驱动晶体管M2 —般工作在饱和区,其栅源电压Vgs决定了流过其电流的大小,进而为发光器件Dl提供了稳定的电流。其中Vgs=Vdata-VDl, VDl为发光器件Dl的开启电压,VDD为稳压或者稳流电源,连接驱动晶体管M2,用于提供发光器件Dl发光所需要的能源。而存储电容Cl的作用是在一帧的时间内维持驱动晶体管M2栅极电压的稳定。当扫描信号Vscan(n)的第一个高电平开始时,第n行像素单元被选通,将该行像素单元中的第一开关晶体管Ml打开,引入数据信号驱动Vdata,发光器件Dl开始发光。通过驱动数据信号Vdata的高电平使发光器件Dl发光将该行像素单元中的存储电容Cl充电完成,之后,通过扫描信号Vscan (n)的第一个低电平关闭该行像素单元的第一开关晶体管Ml。此时,存储电容Cl维持充电时的电压,维持该行像素单元的驱动晶体管M2输出稳定的电流,使得该行像素单元的有机发光二级管Dl持续发光直到一帧时间结束。一帧时间通常为同一行像素单元连续两次被扫描信号选通的时间间隔。在第n行像素单元的充电完成后,扫描信号选通第n+1行像素单元,将第n+1行像素单元的第一开关晶体管Ml打开,引入驱动数据信号进行同样的充电过程,充电完成后通过像素单元中的存储电容Cl维持充电时的电压,维持驱动管输出稳定电流,使得n+1行像素单元的发光器件Dl持续发光直到一帧时间结束。如此依序下去,当对最后一行像素单元充电完成后,便又从第一行像素单元开始重新扫描充电。尽管现有技术像素单元电路被广泛使用,但是其仍然必不可免的存在以下问题:驱动晶体管M2的阈值电压Vth会随着使用时间的增加而出现漂移,从而导致针对同样的数据驱动信号Vdata的Vgs出现变化,即发光器件Dl的电流(也就是亮度)不同,从而将会影响整个有机发光显示器的画面均匀性及其发光质量。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题包括,针对现有的像素单元电路中由于驱动晶体管阈值电压漂移等原因引起电路不稳定,导致有机发光显示器的画面均匀性及其发光质量差的问题,提供一种可以有效地补偿驱动晶体管阈值电压的不均匀性,使得有机发光显示器的画面均匀性提高的像素电路、阵列基板及显示装置。解决本技术技术问题所采用的技术方案是一种像素电路,包括:驱动晶体管、第一开关晶体管、存储电容、发光器件管以及阈值补偿电路;所述阈值补偿电路由第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管以及耦合电容构成;所述第一开关晶体管的栅极接第一扫描信号,所述第一开关晶体管的源极接数据信号输入端,所述第一开关晶体管的漏极接存储电容第一端、耦合电容的第一端以及第二开关晶体管的源极;所述存储电容的第二端接电源电压同时接所述驱动晶体管的源极;所述第二开关晶体管的栅极接第二扫描信号同时接所述第三开关晶体管的栅极,所述第二开关晶体管的漏极接电源负极端;所述第三开关晶体管的源极接所述驱动晶体管的栅极,所述第三开关晶体管的漏极接所述驱动晶体管的漏极同时接所述第四开关晶体管的源极;所述第四开关晶体管的栅极接第一控制信号,所述第四开关晶体管的漏极接所述发光器件; 所述耦合电容的第二端与所述驱动晶体管的栅极相连。本技术的像素电路中,第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管以及耦合电容构成的阈值补偿电路,用于补偿驱动晶体管的阈值电压漂移,可以有效地补偿驱动晶体管阈值电压的不均匀性,使得有机发光显示器的画面均匀性提高。优选地,所述第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管和所述驱动晶体管为N型薄膜晶体管。优选地,所述发光器件为有机发光二极管。解决本技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板,其包括上述的像素电路。由于本技术的阵列基板中包括上述的像素电路,故其性能稳定。解决本技术技术问题所采用的技术方案是一种显示装置,其包括上述的阵列基板。由于本技术的显示装置中包括上述的阵列基板,故其画面均匀性高。附图说明图1为现有的像素电路的原理图;图2为本技术的实施例提供的像素电路的电路图;以及图3为图2中像素电路的时序图。其中附图标记为:M1、第一开关晶体管;DTFT、驱动晶体管;M2、第_■开关晶体管;M3、第三开关晶体管;M4、为第四开关晶体管;C1、存储电容;C2、耦合电容;D1、发光器件;Vdata、数据信号;Vscan (n)、第一扫描信号;Vscan (n_l)、第二扫描信号;EM、第一控制信号。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本技术的技术方案,以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细描述。实施例1:本实施例提供一种像素电路,如图2所示,包括:驱动晶体管DTFT、第一开关晶体管Ml、存储电容Cl、发光器件以及阈值补偿电路;所述阈值补偿电路由第二开关晶体管M2、第三开关晶体管M3、第四开关晶体管M4以及耦合电容C2构成;所述第一开关晶体管的Ml栅极接第一扫描信号Vscan (n),源极接数据信号输入端Vdata,漏极接存储电容Cl第一端、耦合电容C2的第一端以及第二开关晶体管M2的源极;所述存储电容Cl的第二端接电源电压Vdd同时接所述驱动晶体管DTFT的源极;所述第二开关晶体管M2的栅极接第二扫描信号Vscan (n-1)同时接所述第三开关晶体管M3的栅极,漏极接电源负极端Vss ;所述第三开关晶体管M3的源极接所述驱动晶体管DTFT的栅极,漏极接所述驱动晶体管DTFT的漏极同时接所述第四开关晶体管M4的源极;所述第四开关晶体管M4的栅极接第一控制信号EM,漏极接所述发光器件Dl ;所述耦合电容C2的第二端与所述驱动晶体管DTFT的栅极相连。具体地,所述发光器件Dl为有机发光二极管,所述第一开关晶体管Ml、第二开关晶体管M2、第三开关晶体管M3、第四开关晶体管M4和所述驱动晶体管DTFT为N型薄膜晶体管,可选地,所有开关管只起开关的作用,也可为P型晶体管,导通或关断开关管的信号做相应调整即可。下面具体说明该像素电路的工作过程。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种像素电路,包括:第一开关晶体管、存储电容、驱动晶体管、发光器件以及阈值补偿电路,其特征在于,所述阈值补偿电路包括:第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管以及耦合电容;所述第一开关晶体管的栅极接第一扫描信号,所述第一开关晶体管的源极接数据信号输入端,所述第一开关晶体管的漏极接存储电容第一端、耦合电容的第一端以及第二开关晶体管的源极;所述存储电容的第二端接电源电压同时接所述驱动晶体管的源极;所述第二开关晶体管的栅极接第二扫描信号同时接所述第三开关晶体管的栅极,所述第二开关晶体管的漏极接电源负极端;所述第三开关晶体管的源极接所述驱动晶体管的栅极,所述第三开关晶体管的漏极接所述驱动晶体管的漏极同时接所述第四开关晶体管的源极;所述第四开关晶体管的栅极接第一控制信号,所述第四开关晶体管的漏极接所述发光器件;所述耦合电容的第二端与所述驱动晶体管的栅极相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:曾勉尹傛俊涂志中金在光
申请(专利权)人:合肥京东方光电科技有限公司京东方科技集团股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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