分散有C粒子的Fe-Pt型溅射靶制造技术

一种溅射靶，其为原子数的组成比由式(Fe100-X-PtX)100-A-CA(其中，A为满足20≤A≤50的数，X为满足35≤X≤55的数)表示的烧结体溅射靶，其特征在于，具有微细分散在合金中的C粒子，并且相对密度为90%以上。本发明专利技术的课题在于提供可以在不使用高价的同时溅射装置的情况下制作颗粒结构磁性薄膜、并且使溅射时产生的粉粒减少的、高密度的溅射靶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤敦，荻野真一，
申请(专利权)人：吉坤日矿日石金属株式会社，
类型：
国别省市：