【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种低羟基实心石英砣的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)采用等离子体装置产生的火焰作为熔制石英玻璃的热源;等离子体装置放置在熔炉顶部,熔制温度即石英砣表面的温度为1800℃~2500℃;(2)将送入等离子体装置或通过下料管进入火焰区的石英粉料喷洒到石英玻璃靶托上,在等离子火焰加热下,不断熔化成玻璃态,在靶托上开始堆积熔体;石英玻璃靶托顶部位于等离子火焰高温区,靶托一面按照4?10转/分的转速匀速旋转,一面下降,下降速度:0.2?1.0mm/min,并且保证等离子体焰炬与石英玻璃靶托顶部距离为20?100mm;(3)熔化的石英在离开高温区后逐渐冷却成为柱状固体石英砣。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张锦,王春玲,谷巨明,秦卫光,孙丽丽,李文彦,刘晓光,张春林,
申请(专利权)人:久智光电子材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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