一种绝缘基底上直接制备石墨烯的方法技术

本发明专利技术公开了一种结合金属催化剂，直接在绝缘衬底上生长石墨烯的方法，其属于石墨烯材料制备技术领域。该技术解决了石墨烯薄膜在催化剂的基底转移过程中，往往会损伤，影响其性能等问题。本发明专利技术在绝缘基底上由催化剂诱导直接制备大面积石墨烯技术，其包括如下步骤：A.制备绝缘衬底/含碳聚合物/金属催化剂的一种结合体；B.在非氧化气氛中，高温处理上述所得结合体，使含碳聚合物（2）分解得到与绝缘衬底（1）直接接触的石墨烯；C.刻蚀金属催化剂（3），制备了所述石墨烯。该方法使含碳聚合物（2）为碳源和粘附剂，置于金属与绝缘衬底间，使石墨烯直接与绝缘衬底接触，避免了转移损伤，可直接用于器件制备和透明电极等应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基底上制备石墨烯的方法，其特征在于在绝缘基底上，金属催化剂通过含碳聚合物层，直接制备石墨烯，其包括如下步骤：A）在绝缘基底上涂覆含碳聚合物层(?2?)，然后将金属催化剂层(?3?)通过聚合物层(?2?)粘附在绝缘基底（1）上并紧密接触，烘干后得到绝缘基底/含碳聚合物/金属催化剂结合体；B）?将步骤A）所得绝缘基底/含碳聚合物/金属催化剂的结合体，置于非氧化性气氛中，升温至800?1100度，保温5?100分钟，含碳聚合物在高温下分解并在金属催化剂层(?3?)下形成石墨烯，在非氧化性气氛中降温至室温，得到绝缘基底/石墨烯/金属催化剂结合体；C)?将步骤B）所得结合体置于金属刻蚀液中，刻蚀去除金属催化剂层（3），经过去离子水冲洗，烘干，得到绝缘基底上的石墨烯。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王浪，杨连乔，张建华，陈伟，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：