一种铝基碳化硅复合材料表面镀层制备方法技术

本发明专利技术提供一种铝基碳化硅复合材料表面镀层制备方法，该方法是将铝基碳化硅复合材料构件置于真空炉内，抽真空，接通直流电源，在构件与真空室壳体之间加上负偏压，充氩产生辉光放电轰击构件进行净化处理，清除表面氧化膜和吸附物；接通弧光电源，磁控电弧蒸发Ni-Cu合金靶材，在电场作用下靶材粒子加速沉积在构件表面，形成均匀的Ni-Cu合金层；关闭弧光电源和直流电源，氩气保护降温后出炉。采用这种方法，由于离子轰击预处理可使铝基碳化硅复合材料达到洁净表面，加之沉积粒子在电场下的加速作用以及粒子对基材表面的轰击作用，从而使Ni-Cu合金镀层与铝基碳化硅复合材料表面形成牢固的结合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于金属复合材料表面改性
，具体涉及。
技术介绍
: 铝基碳化硅(AlSiC)复合材料因其具有高比强度和比刚度、低热膨胀系数、低密度、高微屈服强度、良好的尺寸稳定性、导热性以及耐磨、耐疲劳等优异的力学性能和物理性能，被用于电子封装构件材料。但铝基碳化硅复合材料封装构件在实际使用时往往要与不同材料进行连接。 钎焊是连接铝基碳化硅复合材料应用较多的一类方法。但是当钎料放置于待焊金属界面之间时，由于铝基碳化硅复合材料表面有许多裸露的碳化硅颗粒，而碳化硅颗粒的润湿性较差，从而在接头界面上形成了大量的颗粒与钎料之间的弱连接，结合强度难以达到基体合金的连接强度；此外铝基复合材料表面有一层致密的氧化膜，它严重阻碍两个连接表面之间的扩散结合。用机械或化学清理后又立即生成，即使在高真空条件下，这层氧化膜也难于分解，影响原 子扩散。因此，如何解决碳化硅颗粒的润湿性及控制表面氧化膜行为是铝基复合材料扩散连接的技术关键。为了改善铝基碳化硅复合材料的焊接性能和提高构件耐腐蚀性能，常需要在其表面镀覆镍(磷)、铜等镀层进行改性。目前使用较多的方法有电镀和化学镀。其中电镀由于受到SiC体积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铝基碳化硅复合材料表面镀层制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：?第一步、按Ni、Cu一定重量百分比冶炼制作Ni?Cu合金靶材；将Ni?Cu合金靶材和铝基碳化硅复合材料构件置于离子镀膜真空室内，抽真空至10?1—10?3Pa；第二步、接通直流电源，在铝基碳化硅构件与真空室壳体之间加上200—350V负偏压，通氩气至15－30Pa，产生辉光放电，等离子轰击构件表面进行净化处理，清除构件表面的氧化膜和吸附物，时间3?7min；第三步、接通弧光电源，在Ni?Cu合金靶材表面产生弧光放电，单靶工作电流为30－70A，并将直流电源调至400?500V负偏压，磁控电弧发射靶材粒子在电场作用下，加速...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁庆龙，张宝庆，范广新，邓小玲，牛济泰，
申请(专利权)人：河南理工大学，
类型：发明
国别省市：