【技术实现步骤摘要】
本技术属于溅射镀膜设备
，具体涉及一种磁控溅射用磁场源装置。
技术介绍
目前在薄膜场效应晶体管(TFT-LCD)溅射镀膜工艺中多使用永磁铁来提供磁控溅射靶所需要的磁场，该磁场一般在空间上有一定变化，表现为两头高中间低；同时在溅射镀膜过程中，为了提高成膜均匀性、成膜稳定性和靶材利用率，需要使该磁场在平行于靶材平面的方向连续运动；为了实现靶材减薄过程中靶表面磁场的稳定性，有时还需要使磁场在垂直于靶材平面的方向连续运动。由于永磁铁只能提供固定的磁场分布，靶材溅射过程中磁场不能灵活变化，且存在使用过程退磁等现象，导致膜厚均匀性和长时间生产的稳定性较差，靶材利用率低。由于成膜均匀性和稳定性差，批量稳定性差，导致在后续的蚀刻工艺中，出现膜的断开或短路，产生不良影响；靶材利用率低，直接导致靶材消耗量升高，从而增加了生产成本。
技术实现思路
本技术的目的是解决现有的磁控溅射用磁场源装置不能产生随时间和空间变化的磁场的问题，提供一种能够产生随时间和空间变化的磁场的磁控溅射用磁场源装置。解决本技术技术问题所采用的技术方案是一种磁控溅射用磁场源装置，所述的磁控溅射用磁场源装置包括至少两...
【技术保护点】
一种磁控溅射用磁场源装置，其特征在于，所述的磁控溅射用磁场源装置包括至少两个电磁铁，各个所述的电磁铁分别连接供电单元，所述的供电单元连接用于独立控制供电单元向各电磁铁的输出电流的控制单元。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭会斌，刘晓伟，孙亮，王守坤，朱夏明，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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