【技术实现步骤摘要】
本技术涉及智能电网领域的一种用于液晶驱动电路的上电复位电路。
技术介绍
请参阅图1,目前用于液晶驱动电路的上电复位电路包括M个依次串联的MOS开关组、或非门25和后置反相器26,每个MOS开关组都包括一根源极接该上电复位电路电源端(VDD端)的NMOS开关管和一根源极接该上电复位电路接地端(VSS端)的PMOS开关管,所述NMOS开关管的漏极与所述PMOS开关管的漏极相接形成所述MOS开关组的输出端,所述NMOS开关管的栅极与所述PMOS开关管的栅极相接形成所述MOS开关组的输入端,第一个MOS开关组的输入端接或非门25的第一输入端,最后一个MOS开关组的输出端接或非门25的第二输入端,或非门25的输出端接后置反相器26的输入端,后置反相器26输出上电复位信号RST。该用于液晶驱动电路的上电复位电路的缺陷在于:其输出的上电复位信号RST很难长时间地维持高电平,因此该上电复位电路很难在缓慢上电的情况下,保证整个液晶驱动电路能够可靠地复位,这增加了对于整个液晶驱动电路中静电保护电路的要求,增加了整个液晶驱动电路的成本。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术的不足,提 ...
【技术保护点】
一种用于液晶驱动电路的上电复位电路,包括或非门、后置反相器和M个依次串联的MOS开关组;每个所述的MOS开关组都包括一根源极接该上电复位电路接地端的NMOS开关管和一根源极接该上电复位电路电源端的PMOS开关管,所述NMOS开关管的漏极与所述PMOS开关管的漏极相接形成所述MOS开关组的输出端,所述NMOS开关管的栅极与所述PMOS开关管的栅极相接形成所述MOS开关组的输入端;其特征在于:第一个到第M?1个所述的MOS开关组的输出端都设有一个与该上电复位电路接地端连接的电容。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:聂纪平,
申请(专利权)人:上海贝岭股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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