【技术实现步骤摘要】
本技术涉及智能电网领域的一种用于液晶驱动电路的保护电路。
技术介绍
保护电路位于液晶驱动电路的接地端(VSS)和电源端(VDD)之间。保护电路的作用是在液晶驱动电路的接地端或者电源端产生静电电压时,使静电电荷得到及时释放,保护液晶驱动电路的安全运行。目前的保护电路如图1所示,包括N个NMOS开关管51和N个PMOS开关管52,每个NMOS开关管51的源极接液晶驱动电路的接地端,漏极接液晶驱动电路的电源端,每个PMOS开关管52的源极接液晶驱动电路的电源端,漏极接液晶驱动电路的接地端。在液晶驱动电路的接地端或者电源端生成静电电压(ESD)时,液晶驱动电路的接地端或者电源端的电压超过部分NMOS开关管51或者部分PMOS开关管52的阈值电压时,这些NMOS开关管51或PMOS开关管52导通,使静电电荷得到有效释放,由于不是所有的NMOS开关管51和所有的PMOS开关管52 —起导通,降低了保护电路的有效性
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术的不足,提供一种用于液晶驱动电路的保护电路,在液晶驱动电路的接地端或者电源端生成静电电压时,该保护电路上的所有的NMOS开关 ...
【技术保护点】
一种用于液晶驱动电路的保护电路,包括N个NMOS开关管(51)和N个PMOS开关管(52),每个所述NMOS开关管(51)的源极接液晶驱动电路的接地端,漏极接液晶驱动电路的电源端,每个所述PMOS开关管(52)的源极接液晶驱动电路的电源端,漏极接液晶驱动电路的接地端,其特征在于:每个所述的NMOS开关管(51)的源极和栅极之间均设置第一并联电阻(53),每个所述的PMOS开关管(52)的栅极和源极之间分别设置第二并联电阻(54)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:聂纪平,
申请(专利权)人:上海贝岭股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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