一种太赫兹超材料单元结构及其制备与调控方法技术

本发明专利技术公开了一种太赫兹超材料单元结构及其制备与调控方法，其涉及超材料及太赫兹探测技术领域，该太赫兹超材料单元结构由底层、中间介质层、表层三层组成，所述底层为一层连续金属膜；中间介质层为聚酰亚胺薄膜、氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、非晶硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、氧化铪薄膜、氧化铝铪薄膜当中的一种；所述表层为表层谐振器，该表层谐振器为内部呈“工”字型、外围为“方框”的图形化金属；其超材料太赫兹响应特性的调控方法为将满足阻抗匹配的超材料单元结构的整体按比例地进行缩少或放大，能够把超材料的太赫兹吸收频率、响应频带等调节到理想范围。本发明专利技术具有结构简单、易于集成的优点，能够应用到太赫兹探测器中。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种太赫兹超材料单元结构，其特征在于，该太赫兹超材料单元结构由底层、中间介质层、表层三层组成，所述底层为一层连续金属膜；中间介质层为聚酰亚胺薄膜、氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、非晶硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、氧化铪薄膜、氧化铝铪薄膜当中的一种；所述表层为表层谐振器，该表层谐振器为内部呈“工”字型、外围为“方框”的图形化金属。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许向东，黄锐，蒋亚东，敖天宏，何琼，马春前，孙自强，温粤江，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：