一种低导磁磁芯及其制造方法和用途技术

本发明专利技术涉及一种低导磁磁芯以及制造方法和用途，所述低导磁磁芯由铁磁软磁合金制成，该合金的分子式为FeaMbCucSidBeM’fXg，其中M是Ni和/或Co，M’是元素V、Ti、Zr、Nb、Mo、Cr、Hf、Ta、W中的至少一种，X表示P、Ge、C以及杂质，以原子百分比为单位a、b、c、d、e、f、g满足以下条件：5≤b≤40；0.05≤c≤1；1≤d≤8；10≤e≤20；0.5≤f≤5；0≤g≤0.5；10≤d+e≤25；a=100-b-c-d-e-f-g；所述合金使用状态的微观结构为非晶态。本发明专利技术的磁芯具有低磁导率、高抗饱和性能的针对交流和直流分量具有高度可调制性的，线性的B-H回线，其磁导率在交流和直流时具有高的可调性。

【技术实现步骤摘要】
一种低导磁磁芯及其制造方法和用途
本专利技术涉及一种具有低磁导率、高抗饱和性能的针对交流和直流分量具有高度可调制性的低导磁磁芯及其制造方法和用途。
技术介绍
在电流互感器和电流补偿的扼流圈中，要求应用的磁芯对交流和直流分量有高度的可调制性。其中，针对如变频空调等电力电子技术的发展，要求其电路中应用的电流互感器具有较强的抗直流分量的能力，对应其中磁芯的要求为具有低磁导率和强的抗饱和能力。电流补偿的去干扰扼流圈中，针对单相用途，电流补偿的去干扰扼流圈具有两个同匝反向的绕组，在多相用途中，电流补偿的去干扰扼流圈具有三个或多个同向绕组。这种绕制方式使工作电流感应的磁通量相互抵消。已知的电流互感器铁芯由非晶或纳米晶的合金优选地有带材制成，电流补偿的去干扰扼流圈铁芯由铁氧体及非晶或纳米晶的合金优选的制成，扼流圈的电感与线圈匝数、铁芯截面积及磁芯的相对磁导率有关。在供电用电的线路中电流相差悬殊，从几安到几万安都有。为便于二次仪表测量需要转换为比较统一的电流，另外线路上的电压都比较高如直接测量是非常危险的。电流互感器就起到变流和电气隔离作用。微型电流互感器一次绕组电流I1与二次绕组I2的电流比，叫实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低导磁磁芯，该磁芯由铁磁软磁合金制成，其特征在于：所述合金的分子式为FeaMbCucSidBeM’fXg，其中M是Ni和/或Co，M’是元素V、Ti、Zr、Nb、Mo、Cr、Hf、Ta、W中的至少一种，X表示P、Ge、C以及杂质，以原子百分比为单位a、b、c、d、e、f、g满足以下条件：5≤b≤40；0.05≤c≤1；1≤d≤8；10≤e≤20；0.5≤f≤5；0≤g≤0.5；10≤d+e≤25；a=100?b?c?d?e?f?g；所述合金使用状态的微观结构为非晶态。

【技术特征摘要】
1.一种低导磁磁芯，该磁芯由铁磁软磁合金制成，其特征在于：所述合金的分子式为FeaMbCucSidBeM’fXg，其中M是Ni和Co，M’是元素V、Ti、Zr、Nb、Mo、Cr、Hf、Ta、W中的至少一种，X表示P、Ge、C以及杂质，以原子百分比为单位a、b、c、d、e、f、g满足以下条件：5≤b≤40；0.05≤c≤0.1；1≤d≤8；10≤e≤20；0.5≤f≤5；0≤g≤0.5；10≤d+e≤25；a=100-b-c-d-e-f-g；所述合金在制造过程中在晶化温度以下进行去应力热处理，使用状态的微观结构为非晶态；该低导磁磁芯具有以下磁性能：矫顽力磁场强度Hc的值小于10Am-1。2.如权利要求1所述的低导磁磁芯，其特征在于：其中7≤b≤29；3.8≤d≤8；14≤e≤20；1≤f≤1.2。3.如权利要求1所述的低导磁磁芯，其特征在于：所述磁芯由厚度小于40μm的带材卷绕而成。4.如权利要求1所述的低导磁磁芯，其特征在于：所述磁芯的剩磁比小于0.1。5.如权利要求1所述的低导磁磁芯，其特征在于：所述磁芯的相对磁导率500<μ<5000。6.如权利要求1所述的低导磁磁芯，其特征在于：所述磁芯的8000Am-1的磁通密度B8000大于1.1T。7.如权利要求1所述的低导磁磁芯，其特征在于：所述磁芯为封闭的、无空气隙的环形铁芯、椭圆铁芯或矩形铁芯。8.如权利要求1所述的低导磁磁芯，其特征在于：所述磁芯在表层喷涂一层不渗透至内部的有机粘结材料作为防护层。9.如权利要求1所述的低导磁磁芯，其特征在于：所述磁芯由软弹性反应粘结材料和/或软塑性不反应粘结材料固定在护盒的槽中。10.一种如上述权利要求之一所述的低导磁磁芯的制造方法，其特征在于：它包括如下步骤：（1）通过单辊快淬法对所述组分的合金进行合金熔体的喷制，形成非晶态合金薄带；（2）按照需...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢志超，李准，王贤艳，冯硕，吴晓荣，李德仁，
申请(专利权)人：安泰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：