发光二极管、发光二极管灯和照明装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供兼具高速响应性和高输出性的发出红外光的发光二极管、发光二极管灯和照明装置。本发明专利技术涉及的发光二极管、发光二极管灯和照明装置，其特征在于，具备：发光部，该发光部具有交替地层叠有由组成式为（InX1Ga1-X1）As（0≤X1≤1）的化合物半导体构成的阱层和由组成式为（AlX2Ga1-X2）As（0≤X2≤1）的化合物半导体构成的势垒层的量子阱结构的活性层、以及夹持所述活性层的第1覆盖层和第2覆盖层；在发光部上形成的电流扩散层；和与电流扩散层接合的功能性基板，第1和第2覆盖层由组成式为（AlX3Ga1-X3）Y1In1-Y1P（0≤X3≤1，0＜Y1≤1）的化合物半导体构成，在以一个阱层和一个势垒层为一对的对层的情况下，对层数为5以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管、发光二极管灯和照明装置，特别是涉及具备高速响应性和高输出性的、发出红外光的发光二极管、发光二极管灯和照明装置。本申请基于在2010年12月2日在日本提出的专利申请2010-269709号要求优先权，将其内容援引于本申请中。
技术介绍
发出红色光或红外光的发光二极管，广泛用于通信、各种传感器、夜间照明、植物工厂用的光源等用途。与之相应地，对于发出红外光的发光二极管的要求，已从主要重视高输出性的要求、或者主要重视高速响应性的要求，向重视这两方面的要求变化。特别是在通信用的发光二极管中，为了进行大容量的光空间传送，必需高速响应性和高输出性。作为发出红色光和红外光的发光二极管，已知采用液相外延法在GaAs基板上生长含有AlGaAs活性层的化合物半导体层的发光二极管(例如，专利文献I 4)。在专利文献4中，公开了下述所谓基板除去型的发光二极管，其采用液相外延法在GaAs基板上生长含有AlGaAs活性层的化合物半导体层，其后，除去作为生长基板使用的GaAs基板。在专利文献4中公开的发光二极管中，响应速度(上升时间)为40 55纳秒(nsec)左右时输出功率为4mW以下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：粟饭原范行，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：
国别省市：