三维封装中散热通道与地线通道共用的封装结构制造技术

本发明专利技术涉及一种三维封装中散热通道与地线通道共用的封装结构，其包括封装芯片，所述封装芯片包括衬底，所述衬底内包括电源连接孔、散热接地孔及信号连接孔；所述电源连接孔内填充有电源连接导体，散热接地孔内填充有散热接地导体，信号连接孔内填充有信号连接导体，所述电源连接导体通过电源连接孔内的绝缘层与衬底绝缘隔离，信号连接导体通过信号连接孔内的绝缘层与衬底绝缘隔离；封装芯片的上方设有热沉地平面板，封装芯片的下方设置基板，基板内设有热沉地平面体；散热接地导体的上端与热沉地平面板接触，散热接地导体的下端与基板内的热沉地平面体接触。本发明专利技术结构简单紧凑，提高三维封装的散热和接地效果，适应范围广，安全可靠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装结构，尤其是一种三维封装中散热通道与地线通道共用的封装结构，属于微电子封装的

技术介绍
随着人们对电子产品的要求向小型化、多功能、环保型等方向的发展，人们努力寻求将电子系统越做越小，集成度越来越高，功能越做越多、越来越强，由此产生了许多新技术、新材料和新设计，其中叠层芯片封装技术以及系统级封装(System-1n-Package,SiP)技术就是这些技术的典型代表之一。三维封装技术，是指在将封装结构由二维布局拓展到三维布局，在相同封装体积内实现更高密度、更高性能的系统集成。而娃穿孔(Through Silicon Via, TSV)是实现三维封装中的关键技术之一。这归因于TSV在现有的硅基工艺基础上实现了三维堆叠结构，增大元器件密度，减小互连延时问题，实现高速互联。硅穿孔工艺是一种新兴的集成电路制作工艺，适合用作多方面性能提升，在高频高速以及大功率应用中，能极大的提高电路的频率特性和功率特性。硅穿孔工艺将制作在硅片表面的电路通过硅通孔中填充的金属连接至硅片背面，结合三维封装工艺，使得IC(集成电路)芯片布局从传统二维分布发展到更先进三维结构，使封装结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维封装中散热通道与地线通道共用的封装结构，包括封装芯片（1），所述芯片（1）包括衬底（11），所述衬底（11）内包括电源连接孔、散热接地孔及信号连接孔；其特征是：所述电源连接孔内填充有电源连接导体（8），散热接地孔内填充有散热接地导体（3），信号连接孔内填充有信号连接导体（4），所述电源连接导体（8）通过电源连接孔内的绝缘层（10）与衬底（11）绝缘隔离，信号连接导体（4）通过信号连接孔内的绝缘层（10）与衬底（11）绝缘隔离；芯片（1）的上方设有热沉地平面板（2），芯片（1）的下方设置基板（7），基板（7）内设有热沉地平面体（9）；散热接地导体（3）的上端与热沉地平面板（2）接触，散热...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于大全，薛恺，
申请(专利权)人：江苏物联网研究发展中心，
类型：发明
国别省市：