具有氧化锌镁窗口层的薄膜光伏装置制造方法及图纸

描述了用于光伏装置和基底结构的方法和装置。在一个实施例中，光伏装置包括基底结构和CdTe吸收层，所述基底结构包括Zn1-xMgxO窗口层和低导电率缓冲层。另一个实施例涉及用于制造光伏装置的工艺，所述工艺包括通过溅射、蒸发沉积、CVD、化学浴沉积工艺以及气相传输沉积工艺中的至少一种在基底上方形成Zn1-xMgxO窗口层。所述工艺包括在Zn1-xMgxO窗口层之上形成CdTe吸收层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及半导体装置及制造方法，更具体地涉及光伏(PV)装置领域。
技术介绍
光伏装置通常包括沉积在基底(例如玻璃)上的多层材料。图1描绘了典型的光伏装置。光伏装置100可以采用玻璃基底105、沉积在基底105上的透明导电氧化物(TCO)层110、由η型半导体材料制成的窗口层115、由半导体材料制成的吸收层120以及金属背接触件125。典型的装置使用碲化镉(CdTe)作为吸收层120并包括玻璃基底105、作为TCO层110的氧化锡(SnO2)或氧化镉锡(Cd2SnO4)和作为窗口层115的硫化镉(CdS)。以示例的方式，基底105上的典型的光伏装置的沉积工艺的顺序为:TC0层110，包括与SnO2和Cd2SnO4中的一种掺杂的η型材料；CdS窗口层115 ;CdTe吸收层120 ;以及金属背接触件125。CdTe吸收层120可以沉积在窗口层115的顶部上。图2中描绘了典型的薄膜光伏装置(例如CdTe装置)的示例性能带图。作为TCO层的F掺杂的SnO2的带隙能被描绘为205，作为缓冲层的未掺杂的SnO2的带隙能被描绘为210，作为窗口层的CdS的带隙能被描绘为215，作为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵锐，马库斯·格洛克勒，
申请(专利权)人：第一太阳能有限公司，
类型：
国别省市：