光掩模坯料、制造光掩模的方法、以及含铬材料膜技术

在本发明专利技术的含铬材料膜中，添加有能够使与铬的混合体系在400℃以下的温度下成为液相的元素。当将所述含铬材料膜用作可用于光掩模坯料中的光学膜(例如遮光膜、蚀刻掩膜、蚀刻停止膜)时，可在不依赖于特别膜设计的情况下，在维持常规含铬材料膜的光学特性等的同时，提高氯干蚀刻的速度，并且可提高图案化的精度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造光掩模的技术。更具体地，本专利技术涉及用于制造光掩模的光掩模坯料，所述光掩模用于集成电路、CCD(电荷耦合装置)滤色片、LCD(液晶显示器)滤色片、磁头等的微细加工；并涉及用作其构成要素的含铬材料膜。
技术介绍
微细加工技术是半导体
中的非常重要的基础技术，并且为了更加微细的微细加工已经对其进行了研究和开发。特别地，近年来，关于大规模集成电路的高集成化，因为电路图案的微细化以及布线图案的细线化，构成单元的层间布线的接触孔图案的微细化等,对微细加工技术的要求程度日益增加。从这种情况来看，在用于如上所述的微细加工的光刻步骤中的光掩模制造技术的领域中，在光掩模制造技术的领域中也变得需要写入微细且正确的电路图案(掩模图案)的技术。为了形成高精度的掩模图案，要求在光掩模坯料上形成高精度的抗蚀图案。一般来说，当通过光刻技术在半导体衬底上形成图案时，进行缩小投影。因此，在光掩模上形成的图案尺寸为在半导体衬底上形成的图案尺寸的约四倍。然而，这并不意味着在光掩模上形成的图案的期望精度比在半导体衬底上形成的图案小。相反，期望在作为原版的光掩模上形成的图案精度大于曝光后获得的实际本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉川博树，深谷创一，稻月判臣，山本恒雄，中川秀夫，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：
国别省市：