【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铁电陶瓷薄膜电容器及其制备方法。
技术介绍
在与普通电池及电化学电容器相比，常规电容器由于具有轻便，高效，环境友好，比功率高等特性，但其比能量低。近年来，由于新技术的发展和新应用的要求，高储能、小型化、轻质量、低成本、高可靠性的高储能密度电容器得到越来越广泛的研究。目前应用较多的电容器主要有以下三类:1)电解电容器(Al，Ta)。这种电容器的电容量大，但高温高频下电容减小，漏导电流增大。2)聚合物薄膜电容器。这种电容器击穿场强大，但介电常数较低，而且工作温度< 150°C，在高温下容易失效。3)陶瓷电容器。这种电容器具有高的介电常数但击穿场强小。前两种材料无法满足环境的友好可持续发展，而陶瓷材料(无铅陶瓷)由于其环境友好性好，将会得到越来越广泛的应用。这三种电容器的共性在于储能密度低。储能密度与介电常数的一次方，电场强度的二次方成正比，与电容器的体积成反比。所以可以通过提高介电层的介电常数和击穿电场强度，减小电容器的体积来增加电容器的储能密度。针对提高电容器储能密度的问题，国内外有很多学者进行了深入的研究。J.K.Yuan分别以PVDF和PA...
【技术保护点】
一种耐高压高储能密度电容器，其特征是，包括基体、底电极、介电层、顶电极，用Si或SiO2/Si作为基体，底电极为金属薄膜、导电氧化物薄膜、或两种组合，厚度为100～1000nm；介电层由BaTiO3铁电薄膜组成，厚度为200nm～5μm；顶电极为直径20～500μm的金属薄膜点电极。
【技术特征摘要】
1.一种耐高压高储能密度电容器，其特征是，包括基体、底电极、介电层、顶电极，用Si或Si02/Si作为基体，底电极为金属薄膜、导电氧化物薄膜、或两种组合，厚度为100 IOOOnm ;介电层由BaTiO3铁电薄膜组成，厚度为200nm 5 μ m ;顶电极为直径20 500 μ m的金属薄膜点电极。2.根据权利要求1所述的一种耐高压高储能密度电容器，其特征是，金属薄膜选自T1、Pt。3.根据权利要求1所述的一种耐高压高储能密度电容器，其特征是，导电氧化物薄膜采用钙钛矿ABO3结构的导电陶瓷材料钛酸锶、镍酸镧或钴酸镧锶。4.根据权利要求1所述的一种耐高压高储能密度电容器，其特征是，金属薄膜点电极为金或银。5.根据权利要求1所述的一种耐高压高储能密度电容器，其特征是，底电极为金属薄膜与导电氧化物薄膜 组合，金属薄膜为T1、Pt薄膜，导电氧化物薄膜采用钙钛矿ABO3结构的导电陶瓷材料LaNiO3。6.一种耐高压高储能密度电容器的制备方法，其特征是，包括步骤如下: (1)基体处理: 选用Si或Si02/Si作为薄膜电容器的基体，用丙酮和酒精对其进行超声清洗，吹干，将其加热到...
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