【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于双光栅莫尔条纹的检焦装置，用于测量硅片在垂直方向上的离焦量，属于高精度光学测量领域。
技术介绍
从微电子工业发展的早期阶段起，光学光刻就成为了量产集成电路的主流技术。光学分辨力已从微米级，发展到亚微米级、深亚微米级，并且预测可以达到32nm乃至22nm节点。但依靠缩短波长和增大数值孔径的光学光刻方法面临着技术上的极大难点和成本的剧增，尤其是32nm节点下光刻设备所需的巨额成本已经成为该领域的巨大难题。而且通过缩短曝光波长和增大数值孔径提高分辨力的同时总是以牺牲焦深为代价的，从焦深公式可以看出，随着曝光波长的缩短和数值孔径的提高，投影物镜的焦深在逐渐地缩短。这种缩短的趋势虽然通过增大工艺因子k2而得以缓解，但是在生产线上进行曝光的硅片通常需经过很多次工艺处理，因此工艺因子k2的增加也是有限的。近几年国际上最先进的投影光刻机的焦深大约在数百纳米的量级。故只有通过调平调焦来充分利用焦深。光刻系统对调平调焦系统的调焦重复性精度的要求一般在有效焦深的1/10，即数十纳米，因而检焦灵敏度应在纳米量级。在纳米光刻中，CD (Critic (a) I Di...
【技术保护点】
一种基于双光栅莫尔条纹的检焦装置，其特征在于包括：入射光源（101）、扩束透镜（102）、物光栅（103）、一对楔形板（104）、第一4f投影系统（105）、第二4f投影系统（105’)、斜方棱镜（106）、检测光栅（103’)和探测器（107)；入射光源(101)出射为宽光谱光，该光束经过扩束透镜(102)垂直入射在物光栅(103)上，一对楔形板(104)垂直于入射光光轴放置，用于补偿物光栅(103)与入射光束(101)之间的非垂直入射角；物光栅(103)位于第一个4f投影系统(105)的前焦面上，物光栅(103)的像被4f投影物镜(105)经过斜方棱镜(106)偏折投影...
【技术特征摘要】
1.一种基于双光栅莫尔条纹的检焦装置，其特征在于包括:入射光源(101)、扩束透镜(102)、物光栅(103)、一对楔形板(104)、第一 4f投影系统(105)、第二 4f投影系统(105，)、斜方棱镜(106)、检测光栅(103’ )和探测器(107);入射光源(101)出射为宽光谱光，该光束经过扩束透镜(102)垂直入射在物光栅(103)上，一对楔形板(104)垂直于入射光光轴放置，用于补偿物光栅(103)与入射光束(101)之间的非垂直入射角；物光栅(103)位于第一个4f投影系统(105)的前焦面上，物光栅(103)的像被4f投影物镜(105)经过斜方棱镜...
【专利技术属性】
技术研发人员：邸成良，严伟，胡松，朱江平，王楠，蒋薇，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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