一种莫尔条纹倾角测量方法技术

本发明专利技术提供一种莫尔条纹倾角测量方法，该方法包括步骤：对倾斜莫尔条纹进行傅里叶变换、相位提取、相位展开、提取条纹x，y方向上行列相位、行列相位斜率计算、条纹倾角计算。通常接近接触式光刻中，掩模与硅片之间存在一定的倾角，不利于莫尔条纹的高精度对准，本发明专利技术可以实现莫条纹倾角高精度计算，用于莫尔条纹光刻对准中，掩模与硅片之间的平行度校正，不需要额外的测量标记，即可完成莫尔条纹倾角的计算。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于接近接触式光刻
，特别涉及。
技术介绍
当前，纳米科技快速发展并已经成为本世纪备受关注的前沿领域，而纳米器件的制造作为纳米技术的基础，离不开高分辨力的光刻技术；另外，光学光刻一直作为大规模集成电路工业制造技术的基础，随着高集成度电路以及相关器件的研发，IC特征尺寸愈来愈小，不断地促进光刻分辨力的提高。套刻精度对光刻分辨力有着重要影响。套刻精度的提高是凭借高精度的对准系统来实现的。通常而言，套刻误差只允许为特征尺寸的1/10左右。而套刻误差的主要因素来源于掩模与硅片之间的对准。双拼接光栅莫尔条纹光刻对准方法是一种空间相位成像的高精度对准方法。其对·准标记制作成两套周期近似的光栅，分别刻蚀在掩模与硅片上。可以实现掩模与硅片X、Y两个方向的同时对准。但是，实现高精度对准的前提在于保证掩模与硅片的高度平行。遗憾的是，硅片的微小倾斜通常会引起莫尔条纹的倾斜，这对该方法执行高精度是不利的。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供，该方法可以实现莫尔条纹倾角的精确测量，并且进一步的根据硅片倾斜形成的倾斜莫尔条纹倾角测量，实现硅片倾角的测量。为了达成上述目的，本专利技术提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种莫尔条纹倾角测量方法，其特征在于：所述方法包括步骤：步骤S1:利用CCD图像探测器件获取倾斜的莫尔条纹像；步骤S2:对该倾斜莫尔条纹进行傅里叶变换，得到其频谱；步骤S3:对步骤S2中的莫尔条纹频谱滤波，然后作逆傅里叶变换，提取莫尔条纹的截断相位；步骤S4:对倾斜莫尔条纹的截断相位φ(x,y)进行相位展开得到连续分布的相位φ(x,y)；步骤S5:提取x，y方向上的任意行列一维相位φx(x,y),φy(x,y)；步骤S6:计算x，y方向上的行列一维相位φx(x,y),φy(x,y)的相位斜率kx,ky；步骤S7:莫尔条纹倾角计算。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱江平，胡松，唐燕，陈铭勇，何渝，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：