【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及掺杂氧化物纳米发光材料领域，特别涉及一种稀土掺杂氧化钆硅基复合纳米材料及其制备方法和在荧光-磁共振双模式成像中的应用。
技术介绍
Gd2O3纳米粒子是非常有效的T1增加型MRI造影剂，因为Gd3+含有大量未配对电子(高达七个)，而且Gd2O3是非常好的发光基质，可以通过掺杂荧光稀土离子作为下转换或者上转换荧光探针，应用于体内外光学成像和荧光示踪。上转换荧光探针相对于传统使用的有机染料和量子点具有不可比拟的优势，上转换纳米粒子可以被808nmm/980nm近红外光激发而具有很好的信噪比，因为808nm/980nm近红外光具有较强的穿透深度、对生物组织几乎无损伤并且不会产生背景荧光。而且，稀土掺杂下转换纳米粒子在SOOnm钛蓝宝石飞秒双光子激光器激发下，可以转化为上转换纳米粒子，从而通过改变激发器使得稀土纳米粒子兼具下转换-上转换功能。单相Gd2O3纳米粒子的低比表面积和缺少活性官能团，严重阻碍其进一步多功能化，迫切需要一种能够方便并且大量负载影像试剂和治疗试剂的材料平台，而介孔材料的出现为其在生物医学领域的深入应用带来了新的曙光。介孔材料是指具有显著...
【技术保护点】
一种稀土掺杂氧化钆硅基复合纳米材料，其特征在于：所述纳米材料以YxGd1?xO1.5:nEu3+为核，表面包覆厚度为3?6nm的实心SiO2壳层和厚度为13?16nm的介孔SiO2壳层，材料的粒径为75?85nm，其中，0≤x≤0.3，0.1≤n≤0.15。
【技术特征摘要】
1.一种稀土掺杂氧化礼娃基复合纳米材料，其特征在于:所述纳米材料以YxGcUO1.5: nEu3+为核，表面包覆厚度为3-6nm的实心SiO2壳层和厚度为13_16nm的介孔SiO2壳层，材料的粒径为75-85nm，其中，O彡x彡0.3，0.1彡η彡0.15。2.—种稀土掺杂氧化礼娃基复合纳米材料,其特征在于:所述χ=0.05,所述η=0.1。3.权利要求1或2所述的稀土掺杂氧化钆硅基复合纳米材料的制备方法，其步骤包括， (I)将 Gd (NO3)3.6H20、Y(NO3)3.6H20、Eu (NO3) 3.6Η20、十六烷基三甲基溴化铵和聚乙烯吡咯烷酮溶于N，N-二甲基甲酰胺溶剂中，在搅拌过程中加入浓硝酸，搅拌均匀后，在1600C -200°C条件下反应12-24小时，冷却、离心分离、洗涤、干燥后研成粉末，得到氢氧化物前驱体 YxGcU (OH)3: nEu3+; (2 )将步骤(I)中的氢氧化物前驱体YxGdh (OH) 3: nEu3+超声分散于醇水混合液中，碱性条件下搅拌，65°C _75°C下保持6-12分钟，加入正硅酸乙酯后在60°C _80°C条件下反应4_6小时，离心沉淀、洗涤；反应体系的PH值为9-10 ； (3)将步骤(2)中的沉淀物再次超声分散于醇水混合液中，加入十六烷基三甲基溴化铵，碱性条件下搅拌，65°C _75°C下保持6-12分钟，再加入正硅酸乙酯，60°C -80°C条件下反应4-6小时，离心沉淀、洗涤；反应体系的pH值为9-10 ； (4)将步骤(3冲的沉淀物分散于含浓度为2-4mg/mL硝酸铵的乙醇溶液中，50°C-65°C条件下反应0.5-1.5小时，乙醇洗涤，重复2-3次后，在600°C _700°C保温...
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