一种高介电常数X8R型MLCC介质材料制造技术

本发明专利技术公开了一种高介电常数X8R型MLCC介质材料，该介质材料以100重量份的钛酸钡为基材，添加有如下重量份的成分：2～14重量份的ZnNb2O6；该介质材料采用包括如下步骤的制备方法制得：1）将Nb2O5和ZnO按照摩尔比1:1，进行配比、称量、混合、过筛并于800～950℃煅烧，球磨、烘干获得ZnNb2O6；2）以100重量份的钛酸钡为基材，添加2～14重量份的ZnNb2O6后进行配料，用去离子水作为分散介质，球磨、烘干并造粒；3）将造粒后的粉料压制成圆片生坯，在450～550℃排有机物，然后在空气气氛中升温至1200～1230℃，烧结3h，即制得X8R型MLCC介质材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功能陶瓷领域，涉及一种高介电常数X8R型MLCC介质材料。
技术介绍
随着电子技术的迅速发展，高介、高稳定、高可靠的陶瓷电容材料也进入了高速发展的时期。同时，随着国防科技的需求与发展，在卫星、导弹、飞机等重点领域中，要求陶瓷电容器能适用于更加苛刻的工作环境条件，这就要求陶瓷电容器的工作上限温度不断扩展，因此能满足X8R标准(工作温度为-55 +150°C，Δ C/C20V ( 土 15%)的钛酸钡基介电陶瓷得到广泛关注和研究，如Naa5Bia5TiO3改性，CaZrO3改性，NiNb2O6改性，Nb-Co复合改性等等。但是，以上改性研究或者专利技术往往不能简单制备出符合X8R特性要求的介电材料，而是需要其他多种元素或物质共同掺杂改性方能实现X8R的特性，如专利CN201110112606.0用Bi4Ti3O12以及组分复杂的低熔点玻璃组成；CN201110145367.9用BaTiO3-Nb2O5-Co2O3-Sm2O3-CeO2 粉体和 0.5BaTi03_0.5Bi (Mgl72Til72)O3 粉体制备而成；专利CN201010137504.X 所专利技术的主成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高介电常数X8R型MLCC介质材料，其特征在于：该介质材料以100重量份的钛酸钡为基材，添加有如下重量份的成分：2～14重量份的ZnNb2O6；该介质材料采用包括如下步骤的制备方法制得：1）将Nb2O5和ZnO按照摩尔比1:1，进行配比、称量、混合、过筛并于800～950℃煅烧，球磨、烘干获得ZnNb2O6；2）以100重量份的钛酸钡为基材，添加2～14重量份的ZnNb2O6后进行配料，用去离子水作为分散介质，球磨、烘干并造粒；3）将造粒后的粉料压制成圆片生坯，在450～550℃排有机物，然后在空气气氛中升温至1200～1230℃，烧结3h，即制得X8R型MLCC介质材料。

【技术特征摘要】
1.一种高介电常数X8R型MLCC介质材料，其特征在于:该介质材料以100重量份的钛酸钡为基材，添加有如下重量份的成分:2 14重量份的ZnNb2O6 ;该介质材料采用包括如下步骤的制备方法制得: 1)将Nb2O5和ZnO按照摩尔比1:1，进行配比、称量、混合、过筛并于800 950°C煅烧，球磨、烘干获得ZnNb2O6 ； 2)以100重量份的钛酸钡为基材，添加2 14重量份的ZnNb2O6后进行配料，用去离子水作为分散介质，球磨、烘干并造粒； 3)将造粒后的粉料压制成圆片生坯，在450 550°C排有机物，然后在空气气氛中升温至12...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄祥贤，吴金剑，张子山，谢显斌，宋运雄，
申请(专利权)人：福建火炬电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：