一种压电谐振器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种压电谐振器，包括工作区，工作区由压电薄膜层及形成于压电薄膜层的上表面上的上金属电极和形成于压电薄膜层的下表面上的下金属电极组成，压电薄膜层由等高度的一个中心方柱压电体和多个边长各不相同的中空方柱状压电体组成，小边长的中空方柱状压电体同轴位于大边长的中空方柱状压电体内，中心方柱压电体同轴位于具有最小边长的中空方柱状压电体内，优点是这种结构不仅减小了寄生振动模式的幅度，而且能够有效地提高机电耦合系数。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种谐振器，尤其是涉及一种压电谐振器。
技术介绍
在现代通讯、导航设备、计算机、家用电器和医疗检测等电子设备中，包含了大量的电子谐振器等频率器件。然而，随着科技的快速发展，对电子设备提出了越来越多的功能需求，这就对频率器件的要求也越来越高、越来越多，比如微型化、高频率、高性能、低功耗和低成本等。频率器件通常采用的技术有微波介质陶瓷技术、声表面波技术和体声波技术。微波介质陶瓷谐振 器虽然具有很好的性能，但是体积较大；声表面波谐振器(SAW)虽然体积较小，但是存在工作频率不高、插入损耗较大、功率容量较低、性能随温度变化漂移明显等缺点；体声波谐振器(BAW)综合了微波介质陶瓷谐振器和声表面波谐振器的优点，同时又克服两者的缺点，其工作频率高(600MHz 20GHz )、温度系数小、容量大、体积小、成本低。压电薄膜体声波谐振器(Film bulk acoustic resonator,简称FBAR)是近十几年来出现的一种体声波谐振器。其基本结构是由一层压电薄膜材料加上上下金属电极而构成的层合板三明治结构。当一交变电压信号作用于这一金属-薄膜-金属三明治结构上时，处于中间层的压电薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压电谐振器，包括工作区，所述的工作区由压电薄膜层及形成于所述的压电薄膜层的上表面上的上金属电极和形成于所述的压电薄膜层的下表面上的下金属电极组成，其特征在于所述的压电薄膜层由等高度的一个中心方柱压电体和多个边长各不相同的中空方柱状压电体组成，小边长的所述的中空方柱状压电体同轴位于大边长的所述的中空方柱状压电体内，所述的中心方柱压电体同轴位于具有最小边长的所述的中空方柱状压电体内。

【技术特征摘要】
1.一种压电谐振器，包括工作区，所述的工作区由压电薄膜层及形成于所述的压电薄膜层的上表面上的上金属电极和形成于所述的压电薄膜层的下表面上的下金属电极组成，其特征在于所述的压电薄膜层由等高度的一个中心方柱压电体和多个边长各不相同的中空方柱状压电体组成，小边长的所述的中空方柱状压电体同轴位于大边长的所述的中空方柱状压电体内，所述的中心方柱压电体同轴位于具有最小边长的所述的中空方柱状压电体内。2.根据权利要求1所述的一种压电谐振器，其特征在于所述的中心方柱压电体为实心的方柱状压电体或为空心的方柱状压电体。3.根据权利要求1或2所述的一种压电谐振器，其特征在于所述的中空方柱状压电体的壁厚与所述的中空方柱状压电体的高度之比为(0.5 1.5):1。4.根据权利要求3所述的一种压电谐振器，其特征在于所述的中心方柱压电体和所述的中空方柱状压电体的高度均为0.5 4Mm。5.根据权利要求4所述的一种压电谐振器，其特征在于相邻两个所述的中空方柱状压电体之间的间隙的宽度为0.2 0.5Mm，具有最小边长的所述的中空方柱状压电体与所述的中心方柱压电体之间的间隙的宽度为0.2 0.5Mm。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄德进，张文亮，罗昕逸，王骥，杜建科，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：实用新型
国别省市：