一种IGBT驱动保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种IGBT驱动保护电路，包括变压器、推挽电路、DC/DC、脉冲整形电路、瞬态电压抑制二极管TVS，系统的控制器送来的脉冲信号经变压器隔离后，通过脉冲整形电路、推挽电路驱动IGBT。在IGBT的门极（Gate）和发射极（Emit）之间连接所述瞬态电压抑制二极管TVS。瞬态电压抑制二极管TVS的设置，起到驱动电压VGE过压保护的作用。作为进一步改进，该IGBT驱动保护电路中设置了过流检测电路、电阻R、电容C、软关断电路。作为又一个改进，该IGBT驱动保护电路中设置了电源电压检测电路和双电源电压检测电路。本实用新型专利技术的优点在于：该电路可以完成IGBT过流及短路保护、驱动电压VGE过压保护、电源欠压保护。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种保护电路，特别是IGBT保护电路。
技术介绍
随着各种电力设备的应用，尤其是功率变换设备的应用，电网的无功及谐波问题日趋严重，静止无功发生器(SVG, Static Var Generator)应运而生。它的主要功能是在系统中起到动态无功发生、无功补偿、电压支撑、改善系统稳定的作用。目前，改善电压质量的方法有同步调相机、开关投切固定电容和静止无功发生器(SVC，Static VarCompensator)。同步调相机:响应速度慢，噪音大，损耗大，技术陈旧，已淘汰；开关投切固定电容动态响应慢，且连续可控能力差；SVC技术上相对先进实用，但其实现和控制都不太灵活，加之设备比较昂贵、维修困难，因而在实际系统应用中效果并不是很好。SVG装置以其灵活的动态调节性能克服了这些不足。SVG装置的核心部分是逆变电路，它将直流电压进行逆变后以产生与系统相应的交流电压，从而产生所需的交流无功功率。利用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)智能模块后,逆变电路无论在体积、性能、稳定性还是控制方式上都得到了极大地优化。在中大功率的变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT驱动保护电路，包括变压器、推挽电路、脉冲整形电路，系统的控制器送来的脉冲信号经变压器隔离后，通过脉冲整形电路驱动IGBT，接入电路的电压经过推挽电路后连接到IGBT，其特征在于：还包括瞬态电压抑制二极管，在IGBT的门极和发射极之间连接所述瞬态电压抑制二极管TVS。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT驱动保护电路，包括变压器、推挽电路、脉冲整形电路，系统的控制器送来的脉冲信号经变压器隔离后，通过脉冲整形电路驱动IGBT，接入电路的电压经过推挽电路后连接到IGBT，其特征在于:还包括瞬态电压抑制二极管，在IGBT的门极和发射极之间连接所述瞬态电压抑制二极管TVS。2.如权利要求1所述的一种IGBT驱动保护电路，其特征在于:该IGBT驱动保护电路中设置了过流检测电路、电阻R、电容C、软关断电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：李瑜，
申请(专利权)人：安徽天沃电气技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：