一种高集成度功率混合集成电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高集成度功率混合集成电路，该混合集成电路具有凸形管基(1)、管脚(2)、凸形底座(3)、阻带(5)、导带/键合区(7)、半导体芯片(6)和片式元器件(9)，阻带(5)、导带/键合区(7)、半导体芯片(6)和片式元器件(9)都集成在凸形底座(3)上，各器件用内引线(4)相互键合或与管脚(2)键合；凸形管基(1)套装在凸形底座(3)之上，凸形管基(1)的水平面及凸起部分的两侧面同时集成有一个以上半导体芯片(6)或片式元器件(9)，两侧面之间通过通孔(11)进行电气连接。本实用新型专利技术生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

High integration power integrated circuit

The utility model discloses a high integrated power hybrid integrated circuit, the integrated circuit has a convex tube base (1), pin (2) and a convex base (3), (5), the conduction band / bonding area (7), a semiconductor chip (6) and chip Yuan Qijian (9), (5), the conduction band / bonding area (7), a semiconductor chip chip (6) and Yuan Qijian (9) are integrated in a convex base (3), with the lead of each device (4) bonded to each other or with pin (2) bonding; convex the tube base (1) is sheathed on the convex base (3) above the convex tube base (1) two side surface and convex part of the integrated level and there is more than one semiconductor chip (6) or Yuan Qijian (9), on both sides of the chip surface between the through hole (11) for electrical connection. The device of the utility model has wide application field, and is especially suitable for the miniaturization and high reliability of the equipment system.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及混合集成电路，进一步来说，涉及功率混合集成电路，尤其涉及高集成度功率混合集成电路。
技术介绍
原有混合电路的集成技术中，在陶瓷基片的混合集成面采用二维平面集成技术，将半导体芯片、其他片式元器件直接装贴在厚膜或薄膜基片上，再采用键合丝(金丝或硅铝丝)进行引线键合，完成整个电器连接，最后在特定的气氛中将管基和管帽进行密封而成。原有技术存在的主要问题是:由于采用二维平面集成技术，半导体芯片、其他片式元器件以最大面方向贴装到陶瓷基片上，芯片与基片的引线键合从一个焊点到另一个焊点之间需要一定的跨度，再加上基片上还需要根据具体电路的要求制作必要的厚膜或薄膜电阻、厚膜或薄膜电容、厚膜或薄膜电感等，因此，基片表面的芯片贴装数量有限，芯片集成效率受:基片面积的影响，芯片集成度难以提闻。中国专利数据库中，涉及高密度集成电路的申请件不少，如99813068.0号《高密度集成电路》、02121825.0号《高密度集成电路构装结构及其方法》、200410063042.6号《高密度集成电路》、201010141336.1号《高密度集成电路模块结构》、201110334691.5号《一种闻密度集成电路封装结构、封装方法以及集成电路》等。但尚无闻集成度功率混合集成电路的申请件。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种高集成度功率混合集成电路，将所有芯片或其他片式元器件的最大面装贴在基片或底座上，确保所有芯片或片式元器件与基片或底座有最大面积的接触，增大散热面积、加快散热速度，以提升功率混合集成电路的使用功率。为达到上述目的，设计人提供的高集成度功率混合集成电路，具有原有混合集成电路的管基、底座、管脚、阻带、导带/键合区、半导体芯片和片式元器件，阻带、导带/键合区、半导体芯片和片式元器件都集成在底座上，各器件用内引线相互键合或与管脚键合；不同的是:所用的管基是凸形管基，底座是凸形底座，凸形底座的水平面及凸起部分的两侧面同时集成有一个以上半导体芯片或片式元器件，两侧面之间通过具有金属导体并与底座绝缘的通孔进行电气连接。上述凸形管基有垂直凸起金属薄片，其底座的水平面及垂直面上装贴有水平贴装基片及垂直贴装基片；水平面及垂直面上的基片用金属焊料焊接。上述通孔由绝缘陶瓷和两端面镀镍或镀金的金属导体组成，金属导体在中心，绝缘陶瓷包住该金属导体；通孔位于凸形管基的凸起部分。上述片式元器件不包括半导体芯片。本技术方法有以下特点:①在凸形管基的水平面及凸起部分的两侧面同时进行芯片或片式元器件，实现所有芯片或片式元器件与基片或底座进行最大面积的接触，增大散热面积、加快散热速度，达到提升功率混合集成电路最大使用功率的目的；②在凸形管基的水平面及凸起部分的两侧面同时进行芯片或片式元器件，实现高密度三维集成，大大提高混合集成电路的集成度；③可集成更多的半导体芯片和片式元器件，从而可集成更多的功能；④可减少整机应用系统使用电子元器件的数量，从而减小整机的体积，提高应用系统的可靠性由于采用高密度集成，大大缩短引线长度，可进一步提高混合集成电路的工作频率和可靠性。用本技术生产的此类器件广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、通讯、工业控制等功率信号处理或功率驱动领域，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域，具有广阔的市场前景和应用空间。附图说明附图用以进一步说明本技术的混合集成电路。图1为本技术的混合集成电路示意图，图2为凸形管基凸起部分侧面示意图，图3为凸形管基的凸起部分正面示意图，图4为通孔结构示意图，图5为水平贴装基片示意图，图6为垂直贴装基片示意图。图中，I为凸形管基，2为管脚，3为凸形底座，4为内引线，5为阻带，6为半导体芯片，7为导带/键合区，8为镀镍或镀金端面，9为片式元器件，10为金属焊料，11为通孔，12为水平贴装基片，13为垂直贴装基片，14为两端面镀镍或镀金的金属导体，15为绝缘陶瓷。具体实施方式实施例:一种高集成度功率混合集成电路，其结构如图1所示，具有凸形管基1、管脚2、凸形底座3、阻带5、导带/键合区7、半导体芯片6和片式元器件9，阻带5、导带/键合区7、半导体芯片6和片式元器件9都集成在凸形底座3上，各器件用内引线4相互键合或与管脚2键合；凸形管基I有垂直凸起金属薄片，凸形底座3的水平面及垂直面上装贴有水平贴装基片12及垂直贴装基片13 ;水平面及垂直面上的基片用金属焊料10焊接；凸形管基I套装在凸形底座3之上，凸形管基I的水平面及凸起部分的两侧面同时集成有一个以上半导体芯片6或片式元器件9，两侧面之间通过具有金属导体14并与底座绝缘的通孔11进行电气连接。通孔11由绝缘陶瓷15和两端面镀镍或镀金的金属导体14组成，金属导体14在中心，绝缘陶瓷15包住该金属导体14 ;通孔11位于凸形管基I的凸起部分。权利要求1.一种高集成度功率混合集成电路，具有原有混合集成电路的管基、底座、管脚、陶瓷基片、阻带、导带/键合区、半导体芯片和片式元器件，阻带、导带/键合区、半导体芯片和片式元器件都集成在陶瓷基片上，各器件用内引线相互键合或与管脚键合；其特征在于所用的管基是凸形管基，底座是凸形底座，凸形底座的水平面及凸起部分的两侧面同时集成有一个以上半导体芯片或片式元器件，两侧面之间通过具有金属导体并与底座绝缘的通孔进行电气连接。2.如权利要求1所述的功率混合集成电路，其特征在于所述凸形管基有垂直凸起金属薄片，其底座的水平面及垂直面上装贴有水平贴装基片及垂直贴装基片；水平面及垂直面上的基片用金属焊料焊接。3.如权利要求1所述的功率混合集成电路，其特征在于所述通孔由绝缘陶瓷和两端面镀镍或镀金的金属导体组成，金属导体在中心，绝缘陶瓷包住该金属导体；通孔位于凸形管基的凸起部分。专利摘要本技术公开了一种高集成度功率混合集成电路，该混合集成电路具有凸形管基(1)、管脚(2)、凸形底座(3)、阻带(5)、导带/键合区(7)、半导体芯片(6)和片式元器件(9)，阻带(5)、导带/键合区(7)、半导体芯片(6)和片式元器件(9)都集成在凸形底座(3)上，各器件用内引线(4)相互键合或与管脚(2)键合；凸形管基(1)套装在凸形底座(3)之上，凸形管基(1)的水平面及凸起部分的两侧面同时集成有一个以上半导体芯片(6)或片式元器件(9)，两侧面之间通过通孔(11)进行电气连接。本技术生产的器件应用领域广泛，特别适用于装备系统小型化、高可靠的领域。文档编号H01L25/00GK203055904SQ20122068420公开日2013年7月10日 申请日期2012年12月12日 优先权日2012年12月12日专利技术者杨成刚, 苏贵东 申请人:贵州振华风光半导体有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高集成度功率混合集成电路，具有原有混合集成电路的管基、底座、管脚、陶瓷基片、阻带、导带/键合区、半导体芯片和片式元器件，阻带、导带/键合区、半导体芯片和片式元器件都集成在陶瓷基片上，各器件用内引线相互键合或与管脚键合；其特征在于所用的管基是凸形管基，底座是凸形底座，凸形底座的水平面及凸起部分的两侧面同时集成有一个以上半导体芯片或片式元器件，两侧面之间通过具有金属导体并与底座绝缘的通孔进行电气连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨成刚，苏贵东，
申请(专利权)人：贵州振华风光半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：