CMP浆料的辅助剂制造技术

本发明专利技术公开了一种辅助剂，该辅助剂用于使用磨粒同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料的工艺中，该辅助剂吸附在所述阳离子带电材料上从而抑制该阳离子带电材料被抛光，致使所述阴离子带电材料的抛光选择性提高，其中，所述辅助剂包含具有芯－壳结构且具有小于所述磨粒粒度的纳米级粒度的聚合物颗粒，该聚合物颗粒的表面为阴离子带电的。本发明专利技术还公开了包含上述辅助剂和磨粒的ＣＭＰ（化学机械抛光）浆料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料的 工艺中使用的化学机械抛光(CMP)浆料的辅助剂，该辅助剂吸附在阳离 子带电材料上，从而提高了吸附结构的抛光选择性。
技术介绍
随着微电子器件持续具有较大的集成规模，用于制备这样的微电 子器件的平坦化处理已经变得越来越重要。作为尽力获得十分大规模 集成孩i电子器件的 一 部分，多重互连技术(multiple interconnection techniques)和多层堆叠技术通常已经被用于半导体晶片。然而，在实施 上述技术中的一种之后出现的非平坦化引起了许多问题。因此，平坦 化处理被应用于微电子器件制备过程中的多个步骤中，从而使晶片表 面的不规则性最小化。这些平坦化技术中的一种为化学机械抛光(CMP)。在CMP处理的 过程中，将晶片表面压在相对于该表面旋转的抛光垫上，并在抛光处 理过程中向抛光垫引入被称为CMP浆料的化学试剂。CMP技术通过 化学和物理作用实现了晶片表面的平坦化。换句话说，CMP技术通过案的晶片表面供给化学活性浆料而实现了晶片表面的平坦化。浅沟槽隔离(STI)是应用CMP技术的一种实施方案。在STI技术中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种辅助剂，该辅助剂用于使用磨粒同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料的工艺中，该辅助剂吸附在所述阳离子带电材料上从而抑制该阳离子带电材料被抛光，致使所述阴离子带电材料的抛光选择性提高，　其中，所述辅助剂包含具有芯－壳结构且具有小于所 述磨粒粒度的纳米级粒度的聚合物颗粒，该聚合物颗粒的表面为阴离子带电的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李基罗，金种珌，洪瑛晙，
申请(专利权)人：LG化学株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]