太赫兹频段各向异性介质晶体的制备、表征及应用方法技术

本发明专利技术属于电磁介质材料技术领域，特别涉及一种太赫兹频段各向异性介质晶体的制备、表征及应用方法。本发明专利技术以饱和溶液降温法制备低对称性的各向异性晶体，并采用太赫兹时域光谱系统和可转动样品台测试其各向异性介电响应和光学参数。本发明专利技术利用太赫兹光谱和可转动样品台表征各向异性介质，主要是低对称晶体的各向异性光学性质，为相关太赫兹器件，如太赫兹吸波器、偏振器和分束器的开发奠定基础。本发明专利技术制备和表征方法简单，便于推广，所得到的晶体在THz吸波器、THz偏振器和THz分束器等新型THz器件上具有较大的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电磁介质材料
，特别涉及一种。
技术介绍
太赫兹辐射是指频率在0.1 10 THz (ITHz=IO12 Hz)范围内的电磁辐射，在电磁频谱上，太赫兹辐射处于微波和远红外之间，大致在远红外的低频端。在20世纪80年代之前，由于缺乏高效的THz辐射源和灵敏的探测技术，这一领域的研究几乎没有涉及，因此被称为“THz空白”。随后，研究人员发现，利用低温生长的GaAs晶体可以同时实现太赫兹波的发射和探测，这促进了 THz技术的实用化。目前，太赫兹光谱已经在食品药品检测、危险品检查、材料研究等领域得到广泛应用。其中，材料的太赫兹电磁响应研究是太赫兹光谱技术与应用领域的研究热点之一。材料的THz介电响应行为可以提供关于材料结构对称性、振动模、氢键等方面的大量信息。另一方面，对材料THz性质的掌握可以有效促进新型太赫兹器件的开发，以便有效地调控太赫兹波。其中，具有各向异性的介电响应和光学性质的低对称晶体，在THz器件上具有很大的应用前景，如THz吸 波器、THz偏振器和THz分束器等。因此，研究各向异性介质，主要是低对称晶体的制备方法、THz电磁响应，具有探索物理机制和开发新本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太赫兹频段各向异性介质晶体的制备方法，其特征在于，具体方案如下：配制目标太赫兹频段各向异性介质晶体的饱和溶液，其温度高于室温20?oC～40?oC，在溶液中悬挂籽晶并将其放在晶体生长炉内，然后降至室温，降温速率为0.5?oC/h～2?oC/h，即可获得目标太赫兹频段各向异性介质晶体；所述晶体具有三斜、单斜、菱方、六方或正交晶体结构；所述晶体的尺寸不小于5?mm×5?mm×1?mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周济，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：