一种晶体连续培养及过滤系统技术方案

本发明专利技术属于生产过程设备领域，具体涉及一种晶体连续培养及过滤系统。系统包括培养装置、过滤装置和控制装置。培养装置由育晶罐和的测温热电阻、PH传感器、载晶架和载晶架电机、搅拌器和电机、电加热器、冷却水进出口组成。过滤装置由热水浴槽和平衡水浴槽组成，有热水槽、平衡水槽和测温热电阻、蛇形管、接收槽和测温热电阻、输送泵、计量泵、过滤槽、搅拌器和电机、电加热器、冷却水进出口。控制装置由PLC和触摸屏组成。系统在快速生长大尺寸晶体的培养过程中对从育晶罐里流出的带有颗粒杂质的生长溶液，先加热溶解、再过滤，最后降温回流，从而完成连续过滤循环。本发明专利技术提高了大尺寸KDP和DKDP晶体的生长速度和质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术专利涉及一种晶体连续培养及过滤系统，属于生产过程设备领域。
技术介绍
磷酸二氢钾(KDP)和磷酸二氘钾(DKDP)晶体是一种被广泛使用的非线性水溶液晶体材料，具有很高的激光损伤阈值和较高的非线性系数以及可制作较大尺寸器件等优点，其二倍、三倍、四倍频器件通常用于室温ND:YAG激光器和染料激光器中，也是理想的高功率变频材料。近年来，随着惯性约束核聚变(ICF)的迅速发展，对KDP和DKDP晶体的研究在国际上又进入了一个新阶段。尽管新型的非线性光学材料不断涌现，但综合对比晶体的光学性能和生长条件，优质大尺寸的KDP和DKDP晶体是目前唯一可用于激光核聚变等高功率系统中的晶体。KDP晶体一般多采用水溶液缓慢降温法来生长，因为其水溶液具有较大的温度系数、较高的溶解度和较宽的亚稳定区域。 水溶液法培养KDP晶体，生长溶液的过饱和度为晶体生长提供驱动力，直接影响着晶体的生长速度。过饱和度越大，晶体的生长速度越快。同时溶液的过饱和度又影响着溶液的稳定性，溶液的过饱和度越大，其稳定性越低，越容易出现自发结晶成核现象。在生长大尺寸KDP晶体时，要兼顾生长速度与溶液的稳定性，使晶体的生长速度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体连续培养及过滤系统，系统包括培养装置、过滤装置和控制装置。其特征在于，培养装置由育晶罐和安装在育晶罐上的测温热电阻T1、PH传感器、安装在育晶罐内的载晶架和载晶架电机、搅拌器和搅拌电机、安装在育晶罐夹套内的电加热器、安装在育晶罐夹套上的冷却水进出口组成。

【技术特征摘要】
1.一种晶体连续培养及过滤系统，系统包括培养装置、过滤装置和控制装置。其特征在于，培养装置由育晶罐和安装在育晶罐上的测温热电阻Tl、PH传感器、安装在育晶罐内的载晶架和载晶架电机、搅拌器和搅拌电机、安装在育晶罐夹套内的电加热器、安装在育晶罐夹套上的冷却水进出口组成。2.根据权利要求1所述一种晶体连续培养及过滤系统，其特征在于，过滤装置由热水浴槽和平衡水浴槽组成。热水浴槽由热水槽、热水浴测温热电阻T2、蛇形管、热水浴接收槽、热水浴接收槽测温热电阻 T3、输...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘丰，何彦行，项亚南，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：