半导体基片处理系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种半导体基片处理系统，包括至少一个等离子体反应腔室用于对基片进行等离子体刻蚀，以及光刻胶去除反应腔室，用于将刻蚀完成后的基片进行光刻胶去除，将所述等离子体反应腔室和所述光刻胶去除反应腔室围绕同一传送室设置，可以保证等离子体反应腔室中完成刻蚀的基片能在第一时间进行光刻胶灰化处理，省去排队等候和空间转移的时间，同时由于等离子体反应腔室和光刻胶去除反应腔室在同一真空环境下，避免了基片可能产生污染的问题，提高了生产效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体基片处理
，尤其涉及一种提高半导体基片处理效率的

技术介绍
在半导体芯片的制作过程中，通常会采用两类半导体芯片处理系统。第一类系统通常被称为批处理(batch processing)系统。使用批处理系统的主要原因在多个芯片或基片能够被同时加工处理，因而该系统可以提供高的输出产能。但是，随着半导体器件性能规范要求的日益严格，工业界已经转而使用第二类处理室，即，单基片处理室。开发单基片处理系统的主要原因在于它更便于控制基片的工艺特性和基片表面的工艺均一性。单基片处理室通常包括真空反应腔、传送室和基片存放室等结构，现有技术中，为了提高单基片处理室的空间利用率，通常在传送室周围环绕设置两个或两个以上的单基片处理室。基片的处理过程通常包括对基片进行等离子体刻蚀和将刻蚀完成的基片进行光刻胶去除,业内也被之为:光刻胶灰化。由于等离子体刻蚀反应和光刻胶灰化反应对反应腔的要求不同，不能在同一反应腔内完成，目前通常的做法是将完成等离子体刻蚀的基片放置在所述基片存放室内，当基片存放室内的基片数量达到一定值时统一传送到光刻胶去除反应机台处进行光刻胶灰化。采用该方法在对基片进行转移时，基片有机会暴露在空气中，有可能造成基片的污染，同时，基片传输不能实时进行，增加了基片的处理的等待时间，降低了生产效率，因此，业内需要一种新型的半导体基片处理系统。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提供了一种半导体基片处理系统，所述处理系统包括传送室和处理腔室，传送室设有传送装置，处理腔室设有装卸口，所述处理腔室包括:至少一个等离子体反应腔室，用于对基片进行等离子体刻蚀；光刻胶去除反应腔室，用于将刻蚀完成后的基片进行光刻胶去除，所述等离子体反应腔室和所述光刻胶去除反应腔室围绕所述传送室设置，所述传送装置可以通过所述装卸口对所述基片进行取放。优选的，所述的处理腔室包括两个等离子体反应腔室和一个光刻胶去除反应腔室，所述光刻胶去除反应腔室位于两等离子体反应腔室之间。优选的，所述每个等离子体反应腔室包括至少两个刻蚀处理平台，所述两个刻蚀处理平台能够单独地或同时地刻蚀两片或更多片基片。优选的，所述所述光刻胶去除反应腔室包括两个基片处理室，每个基片处理室设置一氧原子发生器，所述的氧原子发生器为位于光刻胶去除反应腔室外部的集成装置。进一步的，所述所述光刻胶去除反应腔室包括两个基片处理室，所述光刻胶去除反应腔室能够单独地 或者同时地对两片或更多片基片进行光刻胶去除。进一步的，所述处理系统还包括一基片存放室，所述基片存放室设有多个工艺件架，所述传送装置可以同时指向基片存放室的不同工艺件架的位置，以完成工艺处理件的取放。进一步的，所述等离子体反应腔室为电容耦合式等离子体刻蚀室或电感耦合式等离子体刻蚀室，所述光刻胶去除反应腔室为电容耦合式等离子体刻蚀室或电感耦合式等离子体刻蚀室。所述光刻胶去除反应腔室中处理结束的基片通过所述传送装置转移到所述基片存放室中，移出半导体基片处理系统。本技术所述技术方案的优点在于:本技术包括至少一个等离子体反应腔室用于对基片进行等离子体刻蚀，以及光刻胶去除反应腔室，用于将刻蚀完成后的基片进行光刻胶去除，将所述等离子体反应腔室和所述光刻胶去除反应腔室围绕同一传送室设置，可以保证等离子体反应腔室中完成刻蚀的基片能在第一时间进行光刻胶灰化处理，省去排队等候和空间转移的时间，同时由于等离子体反应腔室和光刻胶去除反应腔室在同一真空环境下，避免了基片可能产生污染的问题，提高了生产效率。附图说明图1示出本技术所述的半导体基片处理系统结构示意图；图2示出本技术所述的光刻胶去除反应腔室结构示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。半导体基片的处理过程通常包括对基片进行等离子体刻蚀和将刻蚀完成的基片进行光刻胶去除两个步骤。光刻胶去除需要在不同于等离子体刻蚀室的专门的反应腔室中进行，目前通常的做法是将完成等离子体刻蚀的基片放置在一基片存放室内，当基片存放室内的基片数量达到一定值时统一传送到光刻胶去除反应机台处进行光刻胶去处。采用该方法，在对基片进行转移时，基片有机会暴露在空气中，有可能造成基片的污染，同时，基片传输不能实时进行，增加了基片处理的等待时间，降低了生产效率，因此，本技术提供一种新型的半导体基片处理系统。图1示出本技术所述的半导体基片处理系统结构示意图，所述半导体基片处理系统包括位于中心位置的传送室300以及由等离子体反应腔室100和光刻胶去除反应腔室200组成的处理腔室，等离子体反应腔室100用于对基片进行等离子体刻蚀；光刻胶去除反应腔室200用于将刻蚀完成后的基片进行光刻胶去除，等离子体反应腔室100和光刻胶去除反应腔室200围绕传送室300设置，所述处理腔室和传送室300间设置装卸口 50。传送室300内设置有传送装置320，传送装置320通过装卸口 50对所述处理腔室内的基片进行取放。本技术所述的传送室300可以为圆形，也可以为方形，其周围可以设置至少一个等离子体反应腔室100和至少一个光刻胶去除反应腔室200，由于基片在光刻胶去除反应腔室200的处理时间短于基片在等离子体反应腔室100内的处理时间，为了提高基片的加工效率同时使空间的利用率达到最大化，本实施例采用方形的传送室300，并且在传送室300周围环绕设置两个等离子体反应腔室100和一个光刻胶去除反应腔室200，光刻胶去除反应腔室200位于两等离子体反应腔室100之间。采用该配置，可以保证等离子体反应腔室100中完成刻蚀的基片能在第一时间进行光刻胶灰化处理，省去排队等候和空间转移的时间，同时由于等离子体反应腔室100和光刻胶去除反应腔室200在同一真空环境下，避免了基片可能产生污染的问题。在另外的实施例中，所述传送室300也可以为圆形，传送室300周围环绕设置两个以上的等离子体反应腔和光刻胶去除反应腔室，其基本原理可参照本实施例的内容，不再赘述。本技术所述的等离子体反应腔室100可以为电容耦合式等离子体刻蚀室也可以为电感耦合式等离子体刻蚀室，本实施例采用电容耦合式等离子体刻蚀室，为了提高基片刻蚀效率，本实施例所述的电容耦合式等离子体刻蚀反应腔室包括两个并行处理平台110和120，所述两个并行的处理平台间被物理地隔开，可以同时处理两片基片，也可以分别对两片基片进行单独的处理。对应的，光刻胶去除反应腔室200也包括两个并行处理平台210和220，如图2所示，图2示出本实施例所述的光刻胶去除反应腔室结构示意图，光刻胶去除反应腔室200包括两个基片处理室216和226，每个基片处理室设置一氧原子发生器215和225。每个基片处理室内设有一片基片。所述光刻胶去除反应腔室能够单独地或者同时地对两片基片进行光刻胶去除。所述氧原子发生器利用等离子体将含氧的反应气体解离为氧原子，光刻胶灰化是一种氧化反应，此过程使用氧原本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体基片处理系统，包括传送室和处理腔室，传送室设有传送装置，处理腔室设有装卸口，其特征在于：所述处理腔室包括：至少一个等离子体反应腔室，用于对基片进行等离子体刻蚀；光刻胶去除反应腔室，用于将刻蚀完成后的基片进行光刻胶去除；所述等离子体反应腔室和所述光刻胶去除反应腔室围绕所述传送室设置，所述传送装置通过所述装卸口对所述基片进行取放。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尹志尧，倪图强，苏兴才，许颂临，徐朝阳，左涛涛，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：