半导体基片处理系统技术方案

技术编号:8898078 阅读:218 留言:0更新日期:2013-07-09 01:16
本实用新型专利技术公开了一种半导体基片处理系统,包括至少一个等离子体反应腔室用于对基片进行等离子体刻蚀,以及光刻胶去除反应腔室,用于将刻蚀完成后的基片进行光刻胶去除,将所述等离子体反应腔室和所述光刻胶去除反应腔室围绕同一传送室设置,可以保证等离子体反应腔室中完成刻蚀的基片能在第一时间进行光刻胶灰化处理,省去排队等候和空间转移的时间,同时由于等离子体反应腔室和光刻胶去除反应腔室在同一真空环境下,避免了基片可能产生污染的问题,提高了生产效率。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体基片处理
,尤其涉及一种提高半导体基片处理效率的

技术介绍
在半导体芯片的制作过程中,通常会采用两类半导体芯片处理系统。第一类系统通常被称为批处理(batch processing)系统。使用批处理系统的主要原因在多个芯片或基片能够被同时加工处理,因而该系统可以提供高的输出产能。但是,随着半导体器件性能规范要求的日益严格,工业界已经转而使用第二类处理室,即,单基片处理室。开发单基片处理系统的主要原因在于它更便于控制基片的工艺特性和基片表面的工艺均一性。单基片处理室通常包括真空反应腔、传送室和基片存放室等结构,现有技术中,为了提高单基片处理室的空间利用率,通常在传送室周围环绕设置两个或两个以上的单基片处理室。基片的处理过程通常包括对基片进行等离子体刻蚀和将刻蚀完成的基片进行光刻胶去除,业内也被之为:光刻胶灰化。由于等离子体刻蚀反应和光刻胶灰化反应对反应腔的要求不同,不能在同一反应腔内完成,目前通常的做法是将完成等离子体刻蚀的基片放置在所述基片存放室内,当基片存放室内的基片数量达到一定值时统一传送到光刻胶去除反应机台处进行光刻胶灰化。采用该方法在对基片进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体基片处理系统,包括传送室和处理腔室,传送室设有传送装置,处理腔室设有装卸口,其特征在于:所述处理腔室包括:至少一个等离子体反应腔室,用于对基片进行等离子体刻蚀;光刻胶去除反应腔室,用于将刻蚀完成后的基片进行光刻胶去除;所述等离子体反应腔室和所述光刻胶去除反应腔室围绕所述传送室设置,所述传送装置通过所述装卸口对所述基片进行取放。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:尹志尧倪图强苏兴才许颂临徐朝阳左涛涛
申请(专利权)人:中微半导体设备上海有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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