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本实用新型公开了一种半导体基片处理系统，包括至少一个等离子体反应腔室用于对基片进行等离子体刻蚀，以及光刻胶去除反应腔室，用于将刻蚀完成后的基片进行光刻胶去除，将所述等离子体反应腔室和所述光刻胶去除反应腔室围绕同一传送室设置，可以保证等离子体...
该专利属于中微半导体设备（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）有限公司授权不得商用。

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