气吹单元及化学机械研磨设备制造技术

本实用新型专利技术提出气吹单元及化学机械研磨设备，通过添加喷气喷杆和供气管对置放于气吹室内的半导体元件表面进行气体吹拂，使半导体元件表面形成一层保护层，从而防止半导体元件表面被部分氧化，避免产生污染物。进一步的，本实用新型专利技术还提出一种化学机械研磨设备，采用上述气吹单元，首先对半导体元件进行研磨，在对半导体元件进行一系列的清洗之后，对所述半导体元件的表面进行气体吹拂，使半导体元件表面形成一层保护层，从而防止半导体元件表面被部分氧化，避免产生污染物，进而提高半导体元件的良率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种气吹单元及化学机械研磨设备。
技术介绍
化学机械抛光或研磨(CMP)是一种用于半导体制备工艺的技术，使半导体元件或基材的上表面被研磨。一般来说，CMP工艺用于去除已沉积在半导体元件上的薄膜层，例如铜层或铝层，以使半导体元件表面平坦化。CMP工艺典型地包括在可控条件下使半导体元件面对润湿的抛光表面旋转。化学抛光剂包括研磨料(例如:氧化铝或氧化硅)和其它在CMP工艺期间与半导体元件表面相互作用的化学成分的浆料。当CMP被用于平坦化半导体元件表面时，该工艺会在半导体元件表面上遗留污染物，需要应用后CMP清洗溶液去除这种污染残留物。而其它来自于CMP工艺的污染残留物可增大接触电阻，限制互连线材料的传导性并导致覆盖层的粘连性降低。因此，在后CMP清洗工艺中必须从基材表面去除这些污染残留物。传统工艺中，如图1所示，化学机械研磨设备包括:研磨腔室10 ;若干研磨头20，位于所述研磨腔室10内；传送臂30，设置于所述研磨腔室10内；清洗单元40，所述清洗单元40包括音震单元41、刷洗单元42以及干燥单元43。半导体元件在被传送臂30传送至研磨腔室10内的研磨头20本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气吹单元，用于对半导体元件进行气体吹拂，其特征在于，包括：气吹室，包括顶壁、底壁以及与顶壁、底壁连接的侧壁，所述侧壁或者顶壁上设有一进出口和一排气口；托物台，设置于所述气吹室内，并位于所述排气口与所述进出口之间；喷气喷杆，设置于所述气吹室内，并与所述进出口处于同一侧，所述喷气喷杆设有若干喷气孔；供气管，一端伸入所述气吹室内并与所述喷气喷杆连接，另一端伸出所述气吹室外。

【技术特征摘要】
1.一种气吹单元，用于对半导体元件进行气体吹拂，其特征在于，包括: 气吹室，包括顶壁、底壁以及与顶壁、底壁连接的侧壁，所述侧壁或者顶壁上设有一进出口和一排气口； 托物台，设置于所述气吹室内，并位于所述排气口与所述进出口之间； 喷气喷杆，设置于所述气吹室内，并与所述进出口处于同一侧，所述喷气喷杆设有若干喷气孔； 供气管，一端伸入所述气吹室内并与所述喷气喷杆连接，另一端伸出所述气吹室外。2.如权利要求1所述的气吹单元，其特征在于，所述喷气喷杆的长度大于所述半导体元件的直径。3.如权利要求1所述的气吹单元，其特征在于，所述喷气喷杆与所述半导体元件之间的水平距离大于5cm。4.如权利要求1所述的气吹单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊世伟，陈枫，蒋莉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：