制造具有中空支撑件的支架的方法技术

包括中空支撑件的支架形成于圆筒形基质上。支架的支撑件通过将支撑件的金属层电铸到在经样式设置的光致抗蚀剂材料内形成的开口内来形成。形成内支撑件材料的第一金属层（106）在第一光致抗蚀剂材料内的开口内形成。用于形成空腔（126）以使支撑件中空的牺牲材料在第二光致抗蚀剂材料内的开口内形成。形成支撑件的侧壁和外壁的第二金属层（122）在第三光致抗蚀剂材料的开口内并围绕牺牲材料形成。去除光致抗蚀剂材料。去除基质和空腔牺牲材料，从而形成为支架图案的中空支撑件。中空支撑件可填充有用于洗脱的治疗物质。可在形成过程中形成通过支撑件到空腔的开口（124）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及释放治疗物质的可植入医疗装置和形成此种医疗装置的方法。
技术介绍
药物洗脱可植入医疗装置近来变得普及，这是由于它们能够执行其主要功能(例如结构支承)以及能够对它们所植入的区域进行医疗处理。例如，药物洗脱支架已用于防止冠状动脉中发生再狭窄。药物洗脱支架可配给诸如阻碍单核细胞侵入/活化的抗发炎化合物之类的治疗剂，由此防止分泌会触发VSMC增生和迁移的生长因子。其它潜在的抗再狭窄化合物包括诸如化疗药物的抗生剂，该抗生剂包括雷帕霉素和紫杉醇。还建议将诸如抗血栓剂、抗氧化剂、抗血小板聚集剂以及细胞生长抑制剂之类的其它种类药物来用于抗再狭窄。药物洗脱医疗支架可涂有聚合材料，该聚合材料又浸溃有药物或药物的组合。一旦将支架植入到目标位置处，从用于治疗局部组织的聚合物来释放药物。对于生物稳定的聚合物来说，药物由通过聚合物层的扩散过程来释放，和/或对于可生物降解的聚合物来说，药物在聚合材料降解时释放。通常根据聚合材料的特性对来自浸溃有药物的聚合材料的药物洗脱率进行控制。然而，在洗脱过程结束时，剩余的聚合材料在一些情形中对于脉管具有副作用，可能会造成小但危险的凝血块的形成。此外，在输送过程中，医疗装置的露出表面上浸溃有药物的聚合物涂层会剥落或以其它方式受损，由此阻碍药物到达目标位点。更甚者，在待输送的药物量方面，浸溃有药物的聚合物涂层受到该聚合物涂层可承载药物量和医疗装置尺寸的限制。还会难于对使用聚合物涂层的洗脱率进行控制。建议了由填充有治疗剂的中空管状线材构成的支架。然而,通过使中空线材弯曲成支架形式来形成中空线材支架会在所完成的支架中产生扭结、开裂或其它不希望的特性。由此，期望制造一种药物洗脱支架，该药物洗脱支架具有中空支撑件，而无须将线材弯成支架形状。
技术实现思路
制造包括中空支撑件的支架的方法的实施例包括将第一光致抗蚀剂层沉积于大致圆筒形基质上。基质至少部分地由牺牲材料制成。对第一光致抗蚀剂层进行样式设置(patterned),以提供第一光致抗蚀剂层内的开口。然后，第一金属层沉积于经样式设置的第一光致抗蚀剂层的开口内的基质上。去除第一光致抗蚀剂层，而第二光致抗蚀剂层沉积于第一金属层上。对第二光致抗蚀剂层进行样式设置，以提供第二光致抗蚀剂层内的开口，其中，第二光致抗蚀剂层内的开口设置在第一金属层之上。牺牲材料沉积于经样式设置的第二光致抗蚀剂层的开口内 的第一金属层上。去除第二光致抗蚀剂层，而第三光致抗蚀剂层沉积于牺牲材料和第一金属层上。对第三光致抗蚀剂层进行样式设置，以提供第三光致抗蚀剂层内的开口。第二金属层沉积于经样式设置的第三光致抗蚀剂层的开口内。去除第三光致抗蚀剂层。去除基质和牺牲材料，从而留下其内形成有空腔的金属层。金属层沉积于图案内，以形成支架的支撑件。附图说明在本专利技术结合附图的以下详细描述中，本专利技术的前述和其它特征以及优点将变得显而易见。包含在本文中并形成说明书一部分的附图还用于解释本专利技术的原理，并使本领域普通技术人员能利用本专利技术。附图并未按比例绘制。图1是圆筒形基质的剖视图。图2是示出设置在图1的圆筒形基质上的光致抗蚀剂层的剖视图。图3是示出去除了图2的光致抗蚀剂层的一部分的剖视图。图3A是图3的示意侧视图。图4是示出沉积于图3的光致抗蚀剂层之间的开口内的第一支撑件层的剖视图。图5是示出去除了图4的剩余光致抗蚀剂层的剖视图。图6是示出沉积于基质和第一支撑件层上的第二光致抗蚀剂层的剖视图。图7是示出图6的第二光致抗蚀剂层的样式的剖视图。图8是示出沉积于图7的经样式设置的第二光致抗蚀剂层的开口内的牺牲材料的首1J视图。图9是示 出去除了图8的剩余第二光致抗蚀剂层的剖视图。图10是示出沉积于图9的基质、第一支撑件层和牺牲材料上的第三光致抗蚀剂层的剖视图。图11是示出图10的第三光致抗蚀剂层的样式的剖视图。图12是示出沉积于图11的经样式设置的第三光致抗蚀剂层的开口内的第二支撑件层的剖视图。图13是示出去除了图12的剩余第三光致抗蚀剂层的剖视图。图14是示出去除了图13的基质和牺牲材料的剖视图。图14A是支架的示意侧视图。图15是沿图14A的线15-15剖取的剖视图。图16是图15的支撑件的、示出沉积于空腔内的治疗物质的部分。具体实施例方式现在参见附图来描述本专利技术的特定实施例，其中类似的附图标记指代相同的或功能类似的构件。在图1-16中示出制造支架130的方法的实施例。在图14A中示出支架130的示例。然而，支架能够以适于用作支架的任何图案来形成。例如，且不作限制，可采用Globerman的美国专利第6，090，127号、Palmaz的美国专利第4，739，762号以及Lau的美国专利第5，421，955号中所示的支架图案。图1是基质100的剖视图。在此实施例中的基质100是圆筒形管。基质100可以是圆筒形杆，或者它可以是与支架的最终总体形状匹配的另一形状。例如，且不作限制，基质100可以是椭圆形管或杆。如下面将更详细解释的那样，基质100由牺牲材料构成或涂敷有牺牲材料,当支架形成过程完成时,可去除该牺牲材料。用于基质100的合适的牺牲材料的示例包括但不限于铜、钨、铁、锌、银、铝、镁、钽、钥、碳(石墨)或本领域普通技术人员已知的其它合适材料。基质100的牺牲材料与最终支架结构的材料不同，下面将更详细解释的那样。基质100如图2中所示地涂敷有第一光致抗蚀剂涂层102 (下文被称为“光致抗蚀剂层”)。第一光致抗蚀剂层102是用于在表面上形成经样式设置涂层的光敏感材料，如将由本领域普通技术人员所理解的那样。第一光致抗蚀剂层102可以是正性抗蚀或负性抗蚀。光致抗蚀剂层102可以例如但不限于是AZ电子材料(诸如它们的4000和9000系列光致抗蚀剂树脂)或可由信越化学有限公司(Shin-Etsu Chemical C0.，Ltd)购得的SIPR 7110M-18的正作用厚膜光致抗蚀剂，或者，为厚膜应用，也良好地开发了诸如Micro-Chem的SU-8系列树脂的负作用光致抗蚀剂厚膜。光致抗蚀剂层102可喷涂到基质100上，或者通过本领域普通技术人员已知的其它方法来涂敷。第一光致抗蚀剂层102的厚度可以在10到100微米(通常为25-50微米)的范围内。然后，如图3和3A中所示，对第一光致抗蚀剂层102进行样式设置。通过将掩模涂敷到第一光致抗 蚀剂层102来对光致抗蚀剂层进行样式设置。此实施例中的掩模可以是管状掩模，或者掩模可通过激光扫描仪涂敷。掩模包括覆盖第一光致抗蚀剂层102的一部分并使第一光致抗蚀剂层102的一部分露出的图案。然后,第一光致抗蚀剂层102暴露于紫外线。如果采用正性抗蚀剂，则第一光致抗蚀剂层102的露出部分在期望的支架图案内。光致抗蚀剂暴露于光的部分变得可溶解于光致抗蚀剂显影剂。在暴露之后，涂敷有抗蚀剂的基质100浸没于显影溶液中，该显影溶液溶解露出区域。如果采用负性抗蚀剂，光致抗蚀剂层的掩模部分在期望的支架图案内。在掩模在位的情况下，光致抗蚀剂层暴露于紫外线光源，且位于掩模的透明区域下方的光致抗蚀剂经历使其不溶于显影溶液中的物理和化学变化。在露出之后，涂敷有抗蚀剂的基质100浸没于显影溶液中，这允许去除未露出区域，而不对硬化或露出区域造成过多影响。如图3和3A中所示，支架图案由第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·斯道蒙特，
申请(专利权)人：美敦力瓦斯科尔勒公司，
类型：
国别省市：