电子元件制造技术

一种电子元件，包括一绝缘基板、一芯片以及一图案化导电层。绝缘基板具有彼此相对的一上表面与一下表面。芯片配置于绝缘基板的上表面的上方。图案化导电层配置于绝缘基板的上表面与芯片之间。芯片经由图案化导电层与一外部电路电性连接。芯片所产生的热经由图案化导电层及绝缘基板而传递至外界。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子元件，尤其涉及一种具有电热分离特性的电子元件。
技术介绍
随着制造技术的精进,发光二极管(LED,Light Emitting Diode)经由不断的研发改善，逐渐地加强其发光的效率，使其发光亮度能够进一步的提升，藉以扩大并适应于各种产品上的需求。换言之，为了提高发光二极管的亮度，除了藉由解决其外在的封装问题外，亦需要设计使发光二极管具有较高的电功率及更强的工作电流，以期待能生产出具有高亮度的发光二极管。然而，由于在提高发光二极管电功率及工作电流之下，发光二极管将会相对产生较多的热量，使得发光二极管容易于因过热而影响其性能的表现，甚至造成发光二极管的故障。因此，如何同时兼具发光二极管的发光效率及散热效果已成为该领域技术的一大课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种具有电热分离特性的电子元件。本专利技术提出一种电子元件，其包括一绝缘基板、一芯片以及一图案化导电层。绝缘基板具有彼此相对的一上表面与一下表面。芯片配置于绝缘基板的上表面的上方。图案化导电层配置于绝缘基板的上表面与芯片之间，其中芯片经由图案化导电层与一外部电路电性连接，而芯片所产生的热经由图案化导电层及绝缘基板而传递至外界。在本专利技术的一实施例中，上述的芯片包括一芯片基板、一半导体层以及多个导电接点。半导体层位于芯片基板与导电接点之间，而导电接点连接图案化导电层。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基板的比热高于650J/Kg_K。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基板的热传导系数大于10W/m-K。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基板的厚度小于等于芯片基板的厚度。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基板的厚度为芯片基板的厚度的0.6倍至I倍。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基板的比表面积大于芯片基板的比表面积。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基板的比表面积为芯片基板的比表面积的1.1倍以上。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基板为一透明绝缘基板。在本专利技术的一实施例中，上述的芯片还包括一反射层，配置于半导体层与导电接点之间。在本专利技术的一实施例中，上述的电子元件还包括至少一导电连接结构，连接于图案化导电层与外部电路之间。芯片经由图案化导电层及导电连接结构与外部电路电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的外部电路包括一导线架、一线路基板或一印刷电路板。在本专利技术的一实施例中，上述的电子元件还包括至少一散热元件，内埋于绝缘基板的下表面。在本专利技术的一实施例中，上述的电子元件还包括一绝缘层以及多个散热通道。绝缘层配置于图案化导电层与绝缘基板之间。散热通道贯穿绝缘基板的上表面与下表面，而每一散热通道的一顶表面连接绝缘层，且每一散热通道的一底表面与绝缘基板的下表面齐平。在本专利技术的一实施例中，上述的绝缘基板还具有至少一盲孔，配置于下表面上。在本专利技术的一实施例中，上述的图案化导电层位于绝缘基板的上表面上。在本专利技术的一实施例中，上述的图案化导电层内埋于绝缘基板的上表面，且图案化导电层的一表面与绝缘基板的上表面齐平。 基于上述，本专利技术的电子元件是将芯片及图案化导电层配置于绝缘基板上，并且使芯片通过图案化导电层与外部电路电性连接，使芯片所产生的热通过图案化导电层及绝缘基板而传递至外界，而达成电热分离的效果。如此一来，电子元件于电路设计上还可具有弹性，且芯片所产生的热能直接往下传并且藉由绝缘基板直接散出，使电子元件能具有较佳的散热效果，可提升产品的性能。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A为本专利技术的一实施例的一种电子元件的剖面示意图；图1B为本专利技术的另一实施例的一种电子元件的剖面示意图；图1C为本专利技术的另一实施例的一种电子元件的剖面示意图；图1D为本专利技术的另一实施例的一种电子元件的剖面示意图；图1E为本专利技术的另一实施例的一种电子元件的剖面示意图；图1F为本专利技术的另一实施例的一种电子元件的剖面示意图；图1G为本专利技术的另一实施例的一种电子元件的剖面示意图；图1H为本专利技术的另一实施例的一种电子元件的剖面示意图；图1I为本专利技术的另一实施例的一种电子元件的剖面示意图。附图标记:100a、100b、100c、IOOcUIOOeUOOf, 100g、100h、IOOi:电子元件；110a、110b、IlOcUl IOeUlOf:绝缘基板；112a、112b、112d:上表面;114a、114d、114e、114f:下表面;115:盲孔；120、120h、1201:芯片；121:芯片基板；122、124:导电接点；123:半导体层；123a:N 型掺杂层；123b:发光层；123c:P 型掺杂层；130a、130b:图案化导电层；132:表面；140:外部电路；142:导线架；150、150a、150b:导电连接结构；160:绝缘层；170:散热通道；172:顶表面；174:底表面；180:散热元件；182:表面；190:反射层。具体实施例方式图1A为本专利技术的一实施例的一种电子元件的剖面示意图。请参考图1A，在本实施例中，电子元件IOOa包括一绝缘基板110a、一芯片120以及一图案化导电层130a。详细来说，绝缘基板IlOa具有彼此相对的一上表面112a与一下表面114a。芯片120配置于绝缘基板IlOa的上表面112a的上方，且具有多个导电接点122、124。图案化导电层130a配置于绝缘基板IlOa的上表面112a与芯片120之间，其中图案化导电层130a是位于绝缘基板IlOa的上表面112a上，且导电接点122、124电性连接图案化导电层130a。特别是，芯片120适于经由图案化导电层130a与一外部电路(未显示)电性连接，而芯片120所产生的热经由图案化导电层130a及绝缘基板IlOa而传递至外界。在此必须说明的是，芯片120例如是一电子芯片或一光电芯片，但并不以此为限。举例来说，电子芯片可以是一集成电路芯片，其例如为一绘图芯片、一存储器芯片、一通信芯片等单一芯片或是一多芯片组合。光电芯片例如是一发光二极管(LED)芯片或一激光二极管芯片等。在此，芯片120是以电子芯片为例说明。由于本实施例的电子元件IOOa的芯片120是通过图案化导电层130a与外部电路(未显示)电性连接，而芯片120所产生的热是通过图案化导电层130a及绝缘基板IlOa而传递至外界，因而达成电热分离的效果。如此一来，本实施例的电子元件IOOa于电路设计上还可具有弹性，且其芯片120所产生的热能直接往下传并且藉由绝缘基板IlOa直接散出，使电子元件IOOa能具有较佳的散热效果，可提升产品整体的性能。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同
技术实现思路
的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。图1B为本专利技术的另一实施例的一种电子元件的剖面示意图。请参考图1B，本实施例的电子元件IOOb与图1A的电子元件IOOa相似，惟二者主要差异之处在于:电子元件IOOb的图案化导电层130b内埋于绝缘基板IlOb的上表面112b，且图案化导电层130b的一表面132与绝缘基板IlOb的上表面112b实质上齐平。如此一来，电子元件IOOb可具有较薄的厚度，可符合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件，包括：一绝缘基板，具有彼此相对的一上表面与一下表面；一芯片，配置于该绝缘基板的该上表面的上方；以及一图案化导电层，配置于该绝缘基板的该上表面与该芯片之间，其中该芯片经由该图案化导电层与一外部电路电性连接，而该芯片所产生的热经由该图案化导电层及该绝缘基板而传递至外界。

【技术特征摘要】
2011.12.08 TW 1001453271.一种电子元件,包括: 一绝缘基板，具有彼此相对的一上表面与一下表面； 一芯片，配置于该绝缘基板的该上表面的上方；以及 一图案化导电层，配置于该绝缘基板的该上表面与该芯片之间，其中该芯片经由该图案化导电层与一外部电路电性连接，而该芯片所产生的热经由该图案化导电层及该绝缘基板而传递至外界。2.根据权利要求1所述的电子元件，其中芯片包括一芯片基板、一半导体层以及多个导电接点，该半导体层位于该芯片基板与该些导电接点之间，而该些导电接点连接该图案化导电层。3.根据权利要求1所述的电子元件，其中该绝缘基板的比热均高于650J/Kg-K。4.根据权利要求1所述的电子元件，其中该绝缘基板的热传导系数大于10W/m-K。5.根据权利要求2所述的电子元件，其中该绝缘基板与该芯片基板的材质相同。6.根据权利要求2所述的电子元件，其中该芯片还包括一反射层，配置于该半导体层与该些导电接点之间。7.根据权利要求1所述的电子元件，其中还包括至少一导电连接结构，连接于该图案化导电层与该外部电路之间，该芯片经由该图案化导电层及该导电连接结构与该外部电路电性连接。8.根据权利要求7所述的电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏柏仁，李允立，陈正言，许国君，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：