【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及关于产生参考电压，尤指涉及一种具有低温度系数、低线性调节率及/或宽频高电源抑制比的参考电压产生电路、参考电压产生方法、电压调节电路及电压调节方法。
技术介绍
在设计参考电压产生电路(voltagereference generation circuit)时，为了使所设计的参考电压电路具有较低的温度系数(temperature coefficient),通常会利用双载子晶体管(bipolarjunction transistor,BJT)、二极管(diode)、耗尽型金属氧化物半导体场效晶体管(depletion-mode metal-oxi de-semi conductor field effect transistor,depletion-mode M0SFET)来补偿温度对电路的影响，举例来说，传统带隙参考电压(bandgapvoltage reference)电路是使用双载子晶体管来做温度补偿，然而，由于以双极互补式金属氧化物半导体工艺(bipolar complementary metal-oxi de-semi conductorpro...
【技术保护点】
一种参考电压产生电路，其特征在于：包括：一电流供应电路，用以提供复数个电流；以及一核心电路，耦接于该电流供应电路，用以接收该复数个电流，并依据所接收之该复数个电流来产生一参考电压，该核心电路包括一第一晶体管、一第二晶体管以及一第三晶体管，其中该第一晶体管与该第三晶体管依据所接收的该复数个电流中之一第一电流以分别产生一第一栅极源极电压差及一第三栅极源极电压差、该第二晶体管依据所接收的该复数个电流中之一第二电流以产生一第二栅极源极电压差，以及该参考电压依据该第一栅极源极电压差、该第二栅极源极电压差及该第三栅极源极电压差来产生。
【技术特征摘要】
2012.01.31 TW 1011030381.一种参考电压产生电路,其特征在于:包括: 一电流供应电路，用以提供复数个电流；以及 一核心电路,耦接于该电流供应电路,用以接收该复数个电流,并依据所接收之该复数个电流来产生一参考电压，该核心电路包括一第一晶体管、一第二晶体管以及一第三晶体管，其中该第一晶体管与该第三晶体管依据所接收的该复数个电流中之一第一电流以分别产生一第一栅极源极电压差及一第三栅极源极电压差、该第二晶体管依据所接收的该复数个电流中之一第二电流以产生一第二栅极源极电压差，以及该参考电压依据该第一栅极源极电压差、该第二栅极源极电压差及该第三栅极源极电压差来产生。2.如权利要求1所述之参考电压产生电路，其特征在于:该第一晶体管具有一第一栅极、一第一漏极以及一第一源极；该第二晶体管具有一第二漏极、一第二栅极以及一第二源极，其中该第二漏极接收该第二电流，以及该第二源极耦接于该第一栅极；以及该第三晶体管具有一第三栅极、一第三漏极以及一第三源极，其中该第三源极接收该第一电流，该第三源极耦接于该第二栅极，以及该第三栅极与该第三漏极耦接于该第一漏极。3.如权利要求2所述之参考电压产生电路，其特征在于:该第三晶体管之掺杂类型不同于该第一晶体管及该第二晶体管之掺杂类型。4.如权利要求2所述之参考电压产生电路，其特征在于:该核心电路还包括:一电阻性元件，耦接于该第一源极与该第一栅极之间。5.如权利要求1所述之参考电压产生电路，其特征在于:该电流供应电路为一电流镜电路，其仅提供该第一电流与该第二电流给该核心电路。6.如权利要求1所述之参考电压产生电路，其特征在于:该核心电路仅依据该第一电流与该第二电流来决定该参考电压。7.如权利要求1所述之参 考电压产生电路，其特征在于:该参考电压由该第一栅极源极电压差、该第二栅极源极电压差及该第一栅极源极电压差之一特定组合所决定，以及该特定组合为:VGSl|+|VGS2|-|VGS3 ； 其中VGSl为该第一栅极源极电压差、VGS2为该第二栅极源极电压差以及VGS3为该第三栅极源极电压差。8.一种电压调节电路，其特征在于:包括: 一第一反馈电路，具有共源极组态，用以接收一第一特定电压来产生一第二特定电压，其中该第一特定电压依据一未调节电压所产生；以及 一第二反馈电路，具有共源极组态，用以至少接收该第二特定电压来产生一调节电压。9.如权利要求8所述之电压调节电路，其特征在于:该第一反馈电路及该第二反馈电路皆为负反馈电路。10.如权利要求8所述之电压调节电路，其特征在于:还包括: 一第三反馈电路，用以接收一第三特定电压来产生一第四特定电压，其中该第一反馈电路另接收该第四特定电压，并依据该第一、第四特定电压中至少其一来产生该第二特定电压。11.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘圣文，
申请(专利权)人：全汉企业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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