用于非晶硅栅极驱动电路的电容器及液晶显示器制造技术

本发明专利技术提供一种用于非晶硅栅极驱动(ASG)电路的电容器及液晶显示器，通过制作的第一电容器的上下极板中，至少一个是透明电极层，利用透明电极层的透光性，提高非晶硅栅极驱动电路部分框胶透过率，减小屏边框宽度，从而提高了液晶显示器件的性能；进一步以第一电容器的一个电极板作为第二电容器的第一极板，以串联所述第一电容器，进一步的增大电容值，以提高液晶显示器件的性能；当在第一电容器和第二电容器的金属电极层中设置至少一个孔洞时，可利用孔洞的边缘效应，进一步的增大电容值，以提高液晶显示器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管液晶显示器
，尤其涉及一种用于非晶硅栅极驱动电路的电容器及液晶显示器。
技术介绍
TFT-LCD (薄膜晶体管液晶显不器，Thin film transistor liquid crystaldisplay)是液晶显示器的一种，由于其具有众多优点，是唯一可跨越所有尺寸的显示技术，应用领域非常广泛，如电视、笔记本电脑、监视器、手机等。TFT-LCD的基本结构为两片玻璃基板中间夹着一层液晶层，主要由偏光片、玻璃基板、公共电极、像素电极、控制1C、彩色光阻等构成。通常将具有彩色光阻的基板称为彩膜(CF)基板，制作了 TFT阵列的基板称为阵列(array)基板。背光模组位于IXD面板下作为光源。TFT在IXD中起着传输和控制电信号的作用，即通过它确定施加在液晶层上的电压的大小。当向液晶面板施加电压，液晶分子开始转动，光线穿过偏光片及液晶层后就可以形成一定画面。目前，TFT-LCD的TFT有源矩阵驱动，主要有两种:a_Si (amorphous silicon,非晶硅)TFT有源矩阵和p-Si (poly silicon，多晶硅)TFT有源矩阵。在a_Si TFT有源矩阵技术中，通常利用现有的生产线a-Si工艺，直接将非晶硅栅极移位寄存器集成于玻璃基板上制作非晶娃栅极驱动电路(ASG,Amorphous Silicon Gatedriver),来替代原来的娃晶栅极驱动芯片(Gate driver IC)，以使显示屏变的更轻，且可以增加显示器的可靠性，降低成本。如图1所示，ASG电路实际布局时，一般会存在电容器件来改善阈值电压偏移等问题，提高液晶显示器的显示性能。如图1B和IC所示，一般通过数据线金属图形(S/Dlayer) 102和栅极金属图形(gate layer) 101以及中间存在绝缘层104制作电容器件,但由于ASG电路往往置于框胶下侧，为了框胶硬化考虑，将此电容器件设计成中间存在金属孔洞图形103以便于框胶硬化，但这往往会造成ASG电路占用面积扩大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于非晶硅栅极驱动电路的电容器及液晶显示器，提高ASG部分框胶透过率，减小屏边框宽度，提高液晶显示器件的性能。为解决上述问题，本专利技术提供一种用于非晶硅栅极驱动电路的电容器，包括制作于非晶硅栅极驱动电路区域的第一电容器，所述第一电容器的上下极板中至少有一个为透明电极层。进一步的，所述下极板为像素电极层，所述上极板为表面透明电极层。进一步的，所述下极板为像素电极层，所述上极板为表面金属电极层。进一步的，所述表面金属电极层中设置有至少一个孔洞。 进一步的，所述下极板为金属电极层，所述上极板为像素电极层。进一步的，所述金属电极层中设置有至少一个孔洞。进一步的，所述下极板为栅极金属层或数据线金属层，所述上极板为像素电极层。进一步的，所述栅极金属层或数据线金属层上设置有至少一个孔洞。进一步的，所述用于非晶硅栅极驱动电路的电容器还包括制作于非晶硅栅极驱动电路区域且与所述第一电容器串联的第二电容器，所述第二电容器位于所述第一电容器的上方或下方，其第一极板为所述第一电容器上下极板中的一个，第二极板为金属电极层或透明电极层。进一步的，所述第二电容器的第二极板为金属电极层时，所述第二极板上设置有至少一个孔洞。与现有技术相比，本专利技术提供的用于非晶硅栅极驱动电路的电容器及液晶显示器，通过制作的第一电容器的上下极板中，至少一个是透明电极层，利用透明电极层的透光性，提高非晶硅栅极驱动电路部分框胶透过率，减小屏边框宽度，从而提高了液晶显示器件的性能；进一步的，以第一电容器的一个电极板作为第二电容器的第一极板，以串联所述第一电容器，进一步的增大电容值，以提高液晶显示器件的性能；进一步的，在第一电容器和第二电容器的金属电极层中设置有至少一个孔洞，利用孔洞的边缘效应，进一步的增大电容值，以提高液晶显示器件的性能。附图说明图1A是现有技术的一种ASG电路原理图；图1B是现有技术的ASG电路的电容器的平面图；图1C是图1B的ASG电路的电容器的剖面结构示意图；图2A是本专利技术实施例一的用于ASG电路的电容器的平面图；图2B是本专利技术实施例一的用于ASG电路的电容器的剖面结构示意图；图3A是本专利技术实施例二的用于ASG电路的电容器的平面图；图3B是本专利技术实施例二的用于ASG电路的电容器的剖面结构示意图。具体实施例方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的用于ASG电路的电容器及液晶显示器作进一步详细说明。实施例一如图2A和2B所示，本实施例提供一种用于ASG电路的电容器，包括制作于非晶硅栅极驱动电路区域的基底200上的第一电容器20。本实施例中，所述第一电容器的下极板201为透明像素电极层、上极板202位于所述透明像素电极层201上方，为表面透明电极层，上极板202与下极板201中间的第一绝缘层203作为存储介质。所述第一绝缘层203可以为钝化层，所述透明像素电极层201的材料为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，所述表面透明电极层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。本实施例的用于ASG电路的电容器，利用透明像素电极层201和表面透明电极层202的透光性，提高ASG部分框胶透过率，满足ASG下部封框胶的固化条件，进而降低了 ASG电路占用面积，减小屏边框宽度，提高了液晶显示器件的性能。在本专利技术的其他实施例中，所述第一电容器20的上下极板中至少有一个极板为透明电极层即可。当所述第一电容器20的上下极板中一个极板为透明电极层，另一个极板为金属电极层时，在所述另一极板的金属电极层中设置有至少一个孔洞。例如第一电容器20的下极板为像素电极层，所述上极板为表面金属电极层，在所述表面金属电极层中设置有至少一个孔洞；或者，所述下极板为金属电极层，该金属电极层为非晶硅栅极驱动电路区域的基底200上的除栅极金属层和数据金属层以外的金属层，所述上极板为像素电极层，所述金属电极层中设置有至少一个孔洞；又或者，所述下极板为栅极金属层或数据线金属层，所述上极板为像素电极层，在所述栅极金属层或数据线金属层上设置有至少一个孔洞。这些实施例均利用孔洞的边缘效应，使得第一电容器的电容值增大，提高液晶显示器件的性能；同时利用孔洞和透明电极层的透光作用，提高ASG部分框胶透过率，满足ASG电路下部封框胶的固化条件，进而降低了 ASG电路占用面积，减小屏边框宽度。实施例二如图3A和3B所示，本实施例提供一种用于ASG电路的电容器，制作于非晶硅栅极驱动电路区域的基底200上，包括第一电容器20和与其串联的第二电容器30。所述第一电容器20包括:作为下极板的透明像素电极层201、位于所述透明像素电极层201上方并作为上极板的表面透明电极层202、以及作为存储介质的位于所述透明像素电极层201和表面透明电极层202中间的第一绝缘层203。所述第二电容器30包括:作为上极板的透明像素电极层201、位于所述透明像素电极层202下方并作为下极板的栅极金属层301、以及作为存储介质的位于所述栅极金属层301和透明像素电极层201中间的第二绝缘层302。所述第一绝缘层203可以为钝化层，所述透明像素电极层201的材料为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，所述表面透明电极层的材料为氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于非晶硅栅极驱动电路的电容器，其特征在于，包括制作于非晶硅栅极驱动电路区域的第一电容器，所述第一电容器的上下极板中至少有一个极板为透明电极层。

【技术特征摘要】
1.一种用于非晶硅栅极驱动电路的电容器，其特征在于，包括制作于非晶硅栅极驱动电路区域的第一电容器，所述第一电容器的上下极板中至少有一个极板为透明电极层。2.如权利要求1所述的用于非晶硅栅极驱动电路的电容器，其特征在于，所述下极板为像素电极层，所述上极板为表面透明电极层。3.如权利要求1所述的用于非晶硅栅极驱动电路的电容器，其特征在于，所述下极板为像素电极层，所述上极板为表面金属电极层。4.如权利要求3所述的用于非晶硅栅极驱动电路的电容器，其特征在于，所述表面金属电极层中设置有至少一个孔洞。5.如权利要求1所述的用于非晶硅栅极驱动电路的电容器，其特征在于，所述下极板为金属电极层，所述上极板为像素电极层。6.如权利要求5所述的用于非晶硅栅极驱动电路的电容器，其特征在于，所述金属电极层中设置有至少一个孔洞。7.如权利要求1所述的用于非晶硅栅极驱动电路的电容器，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹兆铿，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：