具有用于使卡环从晶片脱离的槽的晶片托架制造技术

本发明专利技术提供一种用于化学机械平面化装置的晶片托架，该晶片托架包括一真空夹盘和一卡环。所述真空夹盘被构造成保持一晶片并使该晶片旋转，从而在抛光垫上对晶片的表面外形进行平面化。所述真空夹盘包括一用于保持晶片的内区和一外区，另外还具有一槽，该槽适用于使所述内区和所述外区相脱离。真空夹盘的所述内区和所述外区被放置成沿着与抛光垫的抛光表面相垂直的方向独立地移动。所述卡环被放置在真空夹盘的外区上，并被构造成在ＣＭＰ加工过程中保持晶片，在这种结构中，脱离的卡环和晶片被布置成独立地移动，以在ＣＭＰ加工过程中与抛光垫的抛光表面对齐。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学机械平面化(CMP)，更具体而言，涉及利用CMP方法在晶片处理过程中减小边缘效应的晶片托架。
技术介绍
由半导体晶片制造半导体器件除了别的以外通常需要对晶片进行化学机械平面化(CMP)，抛光，和清洁。通常现代集成电路器件由多级结构形成。例如在基底级形成晶体管器件。在随后的级中，形成互连金属喷镀线图案，并电连接到晶体管器件以限定所需的功能器件。众所周知，形成图案的导电部件通过绝缘材料彼此绝缘，例如二氧化硅。当形成更多的金属喷镀级和相关联的绝缘层时，对绝缘材料进行平面化的需求就增加了。在不进行平面化的情况下，因为表面外形的较大变化，附加的金属喷镀层的制造变得很困难。在其它应用中，金属喷镀线图案由绝缘材料形成，然后进行金属CMP操作以去除过度的喷镀金属。图1为在半导体晶片102上进行的化学机械平面化(CMP)处理100的原理图。在该处理100中，在CMP系统104中对晶片102进行CMP加工。然后，该半导体晶片102在晶片清洁系统106中被清洁。然后继续对半导体晶片102进行后CMP加工108，在此处晶片102经历不同顺序的加工处理，包括附加层的沉积，喷镀，光刻和相应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械平面化装置的晶片托架，包括：一真空夹盘，其被构造成保持一晶片并使该晶片旋转，从而在抛光垫上对晶片的表面外形进行平面化，该真空夹盘包括一用于保持晶片的内区和一外区，该真空夹盘具有一槽，该槽适用于使所述内区和所述外区相脱离，其中，真空夹盘的所述内区和所述外区被放置成沿着与抛光垫的抛光表面相垂直的方向独立地移动；一卡环被放置在真空夹盘的外区上，并被构造成在ＣＭＰ加工过程中保持晶片，其中，脱离的卡环和晶片被布置成独立地移动，从而在ＣＭＰ加工过程中与抛光垫的抛光表面对齐。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：Y戈特基斯，AA奥夫策尔茨，
申请(专利权)人：兰姆研究有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]