用于TSC的电抗器制造技术

用于TSC的电抗器，涉及一种电抗器。本实用新型专利技术解决了现有TSC电抗器存在杂散磁场强，涡流损耗大，噪声大，绝缘效果差的问题。本实用新型专利技术中的三相组件并列放置，该三相组件的上端通过拉紧螺栓与上连接硅钢片固定连接，下端通过拉紧螺栓与下连接硅钢片固定连接；该三个组件的组成及连接方式均相同；所述C相组件由铁芯、线圈、两个接线柱和绝缘层组成；所述铁芯的上端部和下端部即为C相组件的上端部和下端部；所述线圈绕制在铁芯的中部；其外表面设置有绝缘层；两个接线柱分别固定连接在铁芯的上端部和下端部，且同侧；所述两个接线柱分别连接线圈的两个抽头。本实用新型专利技术用于与TSC配合使用。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电抗器。
技术介绍
针对TSC (晶闸管投切电容)的设计过程中，设计人员会根据负荷的谐波特性加入不同电抗率的抗谐波电抗器，以使得系统免受谐波放大及谐振的危害，同时还可保护电容器免受过电流烧毁又可以滤除部分谐波，因此，电抗器的抗谐波性能决定了补偿装置在谐波场合应用的范围。但是现有的TSC电抗器为单相分体结构，体积大，占地面积大，运输、安装不便，且杂散磁场较强，涡流损耗大，而且工作时产生噪声较大，绝缘效果一般，在工作一段时间后绝缘老化，绝缘效果变差。
技术实现思路
本技术为了解决现有TSC电抗器存在杂散磁场强，涡流损耗大，噪声大，绝缘效果差的问题，而提出的用于TSC的电抗器。用于TSC的电抗器，它包括A相组件、B相组件、C相组件、上连接硅钢片、下连接硅钢片和拉紧螺栓；所述A相组件、B相组件和C相组件并列放置，所述A相组件、B相组件和C相组件的上端通过拉紧螺栓与上连接硅钢片固定连接，所述A相组件、B相组件和C相组件的下端通过拉紧螺栓与下连接硅钢片固定连接；所述A相组件、B相组件和C相组件的组成及连接方式均相同；所述C相组件由铁芯、线圈、两个接线柱和绝缘层组成；所述铁芯的上端部即为C相组件的上端部；所述铁芯的下端部即为C相组件的下端部；所述线圈绕制在铁芯的中部；所述线圈外表面设置有绝缘层；两个接线柱分别固定连接在铁芯的上端部和下端部，且位于铁芯的同侧；所述两个接线柱分别连接线圈的两个抽头。本技术具有杂散磁场较弱，涡流损耗小，而且工作时产生噪声小，绝缘效果好的优点。其有益效果有:1、噪声小:小于40dB，远低于正常交谈声音60分贝；2、过电流能力强:电抗器能够保证在各次谐波电流峰值与基波电流峰值代数和的1.2倍电流情况下，保证电抗器不饱和，电抗值大于设计电抗量的95% ;3、线性度好:在2倍工频过电流的条件下，电感值的衰减小于5%。保证在国家标准规定的5%电压畸变率工况下，LC回路对谐波呈感性，防止谐波放大甚至谐振，保证设备安全运行、可靠工作；4、一致性好:三相串联电抗器的三相电感均衡度小于2%，线性度小于5%，有效避免因补偿设备的投入，造成三相不平衡。它可广泛用于各类晶闸管投切电容。附图说明图1为具体实施方式一所述的用于TSC的电抗器的结构示意图；图2为图1的右视图；图3为具体实施方式三中所述的用于TSC的电抗器的右视图。具体实施方式具体实施方式一:结合图1和图2说明本实施方式，本实施方式所述用于TSC的电抗器，它包括A相组件1、B相组件2、C相组件3、上连接硅钢片4、下连接硅钢片5和拉紧螺栓6 ;所述A相组件1、B相组件2和C相组件3并列放置，所述A相组件1、B相组件2和C相组件3的上端分别通过拉紧螺栓6与上连接硅钢片4固定连接，所述A相组件1、B相组件2和C相组件3的下端通过拉紧螺栓6与下连接硅钢片5固定连接；所述A相组件1、B相组件2和C相组件3的组成及连接方式均相同；所述C相组件3由铁芯7、线圈8、两个接线柱9和绝缘层组成；所述铁芯7的上端部即为C相组件3的上端部；所述铁芯7的下端部即为C相组件3的下端部；所述线圈8缠绕在铁芯7的中部；所述线圈8外表面设置有绝缘层；两个接线柱9分别固定连接在铁芯7的上端部和下端部，且位于铁芯7的同侧；所述两个接线柱9分别连接线圈8的两个抽头。具体实施方式二:结合图3说明本实施方式，本实施方式与具体实施方式一不同点在于所述电抗器还增加了两个支撑连接件10 ;所述两个支撑连接件10分别固定连接在下连接硅钢片5靠近底面的两侧，且两个支撑连接件10呈镜像对称设置。其它组成和连接方式与具体实施方式一相同。具体实施方式三:结合图1、图2和图3说明本实施方式，本实施方式与具体实施方式一或二不同点在于所述铁芯7采用硅钢片叠压制成的铁芯。其它组成和连接方式与具体实施方式一或二相同。本技术的工作原理:本技术所述用于TSC的电抗器为三相绕线式结构，铁芯7采用优质进口冷轧硅钢片叠压制成，A相组件1、B相组件2、C相组件3由多个气隙分成均匀小段，气隙采用环氧层绝缘处理，保证电抗气隙在运行过程中不发生变化；电抗器的上连接硅钢片4、下连接硅钢片5采用无磁性材料，确保电抗器具有较高的品质因数和较低的温升，确保具有较好的滤波效果。本技术所述电抗器采用真空浸漆工艺，使浸漆更充分，提高电抗器的安全可靠性，如绝缘性和机械性能；通过拉紧螺杆6将上连接硅钢片4、下连接硅钢片5和A相组件1、B相组件2、C相组件3拉紧，使三相电抗器形成闭合磁路，使效率达到最高，波形畸变最小。以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明，不能认定本专利技术的具体实施只局限于这些说明。对于本所属
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本专利技术所提交的权利要求书确定的专利保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于TSC的电抗器，其特征在于它包括A相组件（1）、B相组件（2）、C相组件（3）、上连接硅钢片（4）、下连接硅钢片（5）和拉紧螺栓（6）；所述A相组件（1）、B相组件（2）和C相组件（3）并列放置，所述A相组件（1）、B相组件（2）和C相组件（3）的上端通过拉紧螺栓（6）与上连接硅钢片（4）固定连接，所述A相组件（1）、B相组件（2）和C相组件（3）的下端通过拉紧螺栓（6）与下连接硅钢片（5）固定连接；所述A相组件（1）、B相组件（2）和C相组件（3）的组成及连接方式均相同；所述C相组件（3）由铁芯（7）、线圈（8）、两个接线柱（9）和绝缘层组成；所述铁芯（7）的上端部即为C相组件（3）的上端部；所述铁芯（7）的下端部即为C相组件（3）的下端部；所述线圈（8）绕制在铁芯（7）的中部；所述线圈（8）外表面设置有绝缘层；两个接线柱（9）分别固定连接在铁芯（7）的上端部和下端部，且位于铁芯（7）的同侧；所述两个接线柱（9）分别连接线圈（8）的两个抽头。

【技术特征摘要】
1.用于TSC的电抗器，其特征在于它包括A相组件(I)、B相组件(2)、C相组件(3)、上连接硅钢片(4)、下连接硅钢片(5)和拉紧螺栓(6);所述A相组件(1)、B相组件(2)和C相组件(3)并列放置，所述A相组件(I)、B相组件(2)和C相组件(3)的上端通过拉紧螺栓(6)与上连接硅钢片(4)固定连接，所述A相组件(1)、B相组件(2)和C相组件(3)的下端通过拉紧螺栓(6)与下连接硅钢片(5)固定连接；所述A相组件(1)、B相组件(2)和C相组件(3)的组成及连接方式均相同；所述C相组件(3)由铁芯(7)、线圈(8)、两个接线柱(9)和绝缘层组成；所述铁芯(7)的上端部...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国勇，
申请(专利权)人：李国勇，
类型：实用新型
国别省市：