通过对称型流入口和流出口供给反应气体的基板处理装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术一实施例，基板处理装置具备：用于实行基板加工的腔体；设置在所述腔体的内部并用于放置所述基板的基板支撑台；以及通过使流入口和流出口相对称而形成的喷头，所述流入口用于向所述腔体的内部供给反应气体，所述流出口用于排出供给至所述腔体内部的所述反应气体，所述反应气体在所述腔体内部沿着大体平行于所述基板的方向流动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种基板处理装置，更详细地涉及一种通过以对称方式形成的流入口和流出口来供应反应气体的基板处理装置。
技术介绍
半导体装置在硅基板上具有多个阶层(layers),这样的阶层是通过沉积工序而沉积在基板上的。这样的沉积工序存在几种重要问题(issues)，而这样的问题对于沉积膜的评价以及沉积方法的选择而言是十分重要的。首先是关于沉积膜的“质量”(qulity)。其意味着组成(composition)、污染度(contamination levels)、损失度(defect ensity)以及机械-电气特性(mechanical andelectrical properties)。膜的组成可根据沉积条件而变化,这对于特定组成(specif iccomposition)的获得是十分重要的。其次是关于晶片(wafer)的均勻厚度(uniform thickness)。特别是,在形成有阶梯部分(step)的非平面(nonplanar)形状图案上部上沉积的膜的厚度十分重要。沉积膜厚度均勻与否，可通过阶梯覆盖率(step coverage)来判断,所述阶梯覆盖率定义如下:沉积在阶梯部分的最小厚度除于沉积在图案上部面的厚度。与沉积相关的另一问题是空间填充(filling space)问题。其包括用包含氧化膜的绝缘膜填充金属线之间的间隙填充(gap filling)。间隙是为了物理及电气绝缘金属线之间而提供的。在这些问题中，均匀度是与沉积工序关联的重要问题中的一个，在金属配线(metal line)上非均勻的膜会带来高的电阻(electrical resistance),并且增加机械损伤的可能性。
技术实现思路
所要解决的课题本专利技术的目的在于提供一种能够确保加工均匀度的等离子体处理装置及等离子体天线。通过下面详细的说明和附图进一步明确本专利技术的其他目的。解决课题的方法根据本专利技术一实施例，基板处理装置具备:用于实行基板加工的腔体；设置在所述腔体的内部并用于放置所述基板的基板支撑台；以及通过使流入口和流出口相对称而形成的喷头，所述流入口用于向所述腔体的内部供给反应气体，所述流出口用于排出供给至所述腔体内部的所述反应气体，所述反应气体在所述腔体内部沿着大体平行于所述基板的方向流动。所述喷头具有连接于所述流入口且沿着所述反应气体的流动方向截面积增加的一个以上扩散流路。所述喷头具有连接于所述流入口且沿着所述反应气体的流动方向截面积增加的多个扩散流路以及将所述扩散流路相互连接的流入连接流路。所述扩散流路上下配置。。所述喷头具备连接于所述流出口且沿着所述反应气体的流动方向截面积减小的多个收敛流路以及将所述收敛流路相互连接的流出连接流路。所述喷头呈中央部分空的环形状，所述基板处理装置具有以与所述中央部分相对应的方式设置在所述腔体的上部且用于在所述腔体的内部形成电场(electric field)的天线；所述天线具备以已设定的中心线为基准对称配置的第一天线和第二天线，所述第一天线具备:分别具有第一半径和第二半径且以已设定的中心线为基准分别位于一侧和另一侧的半圆形的第一内侧天线和第一中间天线；将所述第一内侧天线和所述第一中间天线相互连接的第一连接天线，所述第二天线具备:分别具有所述第一半径和第二半径且以所述中心线为基准分别位于一侧和另一侧的半圆形的第二中间天线和第二内侧天线；将所述第二中间天线和所述第二内侧天线相互连接的第二连接天线。所述基板处理装置还具备:升降轴，其连接在所述基板支撑台并与所述基板支撑台一同进行升降；通过驱动所述升降轴将所述基板支撑台转换到加工位置和解除位置的驱动部，其中所述加工位置是指，使加工区域形成在所述基板支撑台的上部的位置，所述解除位置是指，使所述基板放置在所述基板支撑台的上部的位置，所述喷头具备:当所述基板支撑台处于所述加工位置时，与所述基板支撑台的上部面边缘邻接的对置面；形成在所述对置面且向所述上部面边缘排出屏蔽气体的下部排出口。专利技术的效果根据本专利技术，能够在腔体内生成密度均匀的等离子体。另外能够确保对利用等离子体的被处理体的加工均匀度。附图说明图1和图2是概略表示本专利技术一实施例的基板处理装置图。图3是对图2中所示喷头的流入口部分进行放大的图。图4是对图2中所示喷头的流出口部分进行放大的图。图5a至图5c是表示通过图1中所示喷头的流动的图。图6是对本专利技术另一实施例的喷头流入口部分进行放大的图。图7是对本专利技术又一实施例的喷头流入口部分进行放大的图。图8概略表示图1中所示天线的俯视图。图9是表不图1中所不调节板的厚度与基板沉积率关系的曲线图。图10是表示本专利技术实施例的循环薄膜沉积法的流程图。图11是表示本专利技术实施例的循环薄膜沉积法的图表。图12a至图12c是表示本专利技术实施例的沉积硅的步骤的剖面图。图13是表示本专利技术实施例的形成了硅薄膜的状态的剖面图。图14a是表示本专利技术实施例的将硅薄膜形成为含硅绝缘膜的步骤的剖面图。图14b是表示本专利技术实施例的实行了含硅的第二吹扫步骤的状态的剖面图。图15是表示本专利技术另一实施例的形成了含硅绝缘膜的状态的剖面图。图16是表示本专利技术又一实施例的循环薄膜沉积法的流程图。图17是表示本专利技术又一实施例的循环薄膜沉积法的图表。图18a至图18c是表示本专利技术又一实施例的沉积硅的步骤的剖面图。图19a至图19c是表示本专利技术又一实施例的形成含硅绝缘膜的步骤的剖面图。图20是表示本专利技术又一实施例的形成了多个含硅绝缘膜的状态的剖面图。图21a和图21b是表示本专利技术又一实施例的使绝缘膜致密的步骤的剖面图。图22是表示本专利技术又一实施例的形成了含硅绝缘膜的状态的剖面图。具体实施方式图1和图2是概略表示本专利技术一实施例的基板处理装置的图。如图1、图2所示，基板处理装置包括用于实行基板加工的腔体，腔体提供与外部隔绝的内部空间，从而在加工时将基板与外部隔绝。腔体具备上部开放的形状的下部腔体10和用于开闭下部腔体10上部的腔体盖12，腔体盖12通过固定环32固定在下部腔体10的上部。下部腔体10具有形成在一侧壁的通路14，基板通过通路14进出下部腔体10的内部。通路14通过设置在下部腔体10外部的闸阀16进行开闭。另外，下部腔体10的另一侧壁形成有排气孔18，排气孔18与排气管路19a相连。排气管路19a与真空泵(未图示)相连，在基板传递至下部腔体10的内部后且加工前的阶段，能够通过排气孔18将下部腔体10内部的气体排出，使下部腔体10的内部形成真空。通过由闸阀16而开放的通路14，基板向下部腔体10的内部移动，被置于在内部空间内设置的支撑台11的上部。此时，如图1所示，支撑台11位于下部腔体10的下部(“解除位置”)。在支撑台11上供有多个顶杆(lift pin) 11a，顶杆Ila在立起的状态下支撑移动至支撑台11上部的基板。在支撑台11位于下部腔体10的下部的情况下，顶杆Ila的下端被下部腔体10的下部壁支撑，顶杆Ila的上端维持从支撑台11上部面突出的状态，因此基板通过顶杆Ila位于离支撑台11具有距离的位置。支撑台11连接于升降轴13，升降轴13通过驱动部15进行升降。升降轴13可以通过下部腔体10的开放的下部与驱动部15相连，并通过驱动部15上下移动支撑台11。如图2所示，能够使支撑台11上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.06 KR 10-2010-00971511.一种基板处理装置，其特征在于， 所述基板处理装置具备: 用于实行基板加工的腔体； 设置在所述腔体的内部并用于放置所述基板的基板支撑台； 以及通过使流入口和流出口相对称而形成的喷头，所述流入口用于向所述腔体的内部供给反应气体，所述流出口用于排出供给至所述腔体内部的所述反应气体， 所述反应气体在所述腔体内部沿着大体平行于所述基板的方向流动。2.权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷头具有连接于所述流入口且沿着所述反应气体的流动方向截面积增加的一个以上扩散流路。3.权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷头具有连接于所述流入口且沿着所述反应气体的流动方向截面积增加的多个扩散流路以及将所述扩散流路相互连接的流入连接流路。4.权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述扩散流路上下配置。5.权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷头具备连接于所述流出口且沿着所述反应气体的流动方向截面积减小的多个收敛流路以及将所述收敛流路相互连接的流出连接流路。6.权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：诸成泰，梁日光，宋炳奎，朴松焕，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：
国别省市：