【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体纳米材料制备
，具体涉及采用水热法通过控制反应时间得到不同形貌CdSe纳米晶的制备方法。
技术介绍
CdSe纳米材料属于I1-VI族纳米半导体材料，因其独特的光电特性而被广泛应用于非线性光学、太阳能电池、生物探针等领域。由于半导体纳米材料的各种性质均与其形貌息息相关，因此很多材料领域的科研工作者们纷纷致力于不同形貌CdSe纳米材料的研究。现今，形貌如点状、棒状、四足状等形状的CdSe纳米晶已有很多文献报道，实现方法也各种各样，如高温有机液相法、气相沉积法、溶剂热法等。如美国的Paul Alivisatos教授对CdSe与CdTe的形状控制的做了研究，通过控制单体的浓度及表面活性剂的比例等条件制出了棒状、箭头状、泪滴状、四足动物状等CdSe纳米晶体；但仅通过改变反应时间这一条件就能够改变形貌且实验反应设备简单、反应温度较低、产率高可以更好更广泛应用于光电材料、生物标记等方向的有关CdSe纳米晶制备的研究目如尚未见报道。
技术实现思路
本专利技术旨在提供，仅通过调节反应时间即可得到不同形貌的CdSe纳米晶，反应设备简单、反应条件温和。本专利技术...
【技术保护点】
一种形貌时控型CdSe纳米晶的制备方法，其特征在于按以下步骤操作：将氯化镉溶于水中，配制成0.01?2mol/L的氯化镉溶液；向所述氯化镉溶液中加入质量浓度25?30%的氨水，所述氯化镉溶液与所述氨水的体积比为1：0.1?1：10，搅拌均匀后按Cd与Se摩尔比为1：1?3：1的比例加入亚硒酸钠，搅拌溶解得到混合液；将水合肼和所述混合液按1：0.1?1：10的体积比混合，搅拌均匀后升温至170?190℃恒温反应2?15h，冷却至室温后离心分离得到黑褐色固体，经去离子水和乙醇洗涤至洗涤液无色澄清透明后真空干燥即得CdSe纳米晶。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马海红，段像龙，徐卫兵，周正发，任凤梅，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：
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