埋置电阻制造技术

本实用新型专利技术提出了一种埋置电阻，包括顶层金属地和底层金属地；第一介质层和第二介质层；电阻片，所述电阻片位于所述第一介质层和所述第二介质层之间；两个金属焊盘，所述两个金属焊盘分别焊接在所述电阻片的两端；以及至少一个调试孔，所述至少一个调试孔位于所述电阻片的表面上，并穿过所述顶层金属地或所述底层金属地。本实用新型专利技术的有益效果是可通过调试孔对埋置电阻进行调试，达到所需阻值，减小电阻容差。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微波领域，特别涉及一种埋置电阻。
技术介绍
常见的电阻集成在器件表面。这样的电阻虽然易于调试，但是却不方便与其它电器元件进行线路连接。而且，表面电阻容易损坏。因而，在微波领域，埋置电阻应用越来越广泛。但是，由于埋置电阻埋置在介质基板内，在烧结前不能调阻，其容差较大。
技术实现思路
本技术提出一种埋置电阻，解决了现有技术中无法对埋置电阻进行调试导致电阻阻值不准确的问题。本技术的技术方案是这样实现的:一种埋置电阻，包括顶层金属地和底层金属地；第一介质层和第二介质层；电阻片，所述电阻片位于所述第一介质层和所述第二介质层之间；两个金属焊盘，所述两个金属焊盘分别焊接在所述电阻片的两端；以及至少一个调试孔，所述至少一个调试孔位于所述电阻片的表面上，并穿过所述顶层金属地或所述底层金属地。可选地，所述至少一个调试孔包括一个调试孔，所述一个调试孔位于所述电阻片的上表面上，并穿过所述顶层金属地。可选地，所述至少一个调试孔包括一个调试孔，所述一个调试孔位于所述电阻片的下表面上，并穿过所述底层金属地。可选地，所述至少一个调试孔包括多个调试孔，所述多个调试孔位于所述电阻片的上表面上或下表面上，并相应地穿过所述顶层金属地或所述底层金属地。本技术的有益效果是可通过调试孔对埋置电阻进行调试，达到所需阻值，减小电阻容差。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术一种埋置电阻一个实施例的立体结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。图1为本技术一种埋置电阻一个实施例的立体结构示意图。如图1所示，埋置电阻I包括顶层金属地21、底层金属地22、第一介质层31以及第二介质层32。埋置电阻I还包括电阻片4以及两个金属焊盘5。其中，电阻片4位于第一介质层31和第二介质层32之间。两个金属焊盘5分别焊接在电阻片4的两端。另外，埋置电阻I还包括调试孔6，调试孔6位于电阻片4的上表面上，并穿过顶层金属地21，露出部分埋置电阻。在图1所示实施例中，调试孔6向上穿过顶层金属地21。然而，本
的技术人员应当理解，由于埋置电阻I在垂直方向上为对称结构，调试孔6亦可位于电阻片4的下表面上，并向下穿过底层金属地22，露出部分埋置电阻。另外，在图1所示实施例中，埋置电阻I只包括一个调试孔。然而，本
的技术人员应当理解，在其它实施例中，埋置电阻可包括多个调试孔。这些调试孔可位于电阻片的上表面上并穿过顶层金属地，亦可位于电阻片的下表面上并穿过底层金属地，露出部分埋置电阻。表面上并穿过底层金属地，露出部分埋置电阻。利用本技术提出的埋置电阻，由于具有调试孔，在基板烧结完成之后，可通过调试孔对埋置电阻进行调试，达到所需阻值，减小电阻容差。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种埋置电阻，其特征在于，包括: 顶层金属地和底层金属地； 第一介质层和第二介质层； 电阻片，所述电阻片位于所述第一介质层和所述第二介质层之间； 两个金属焊盘，所述两个金属焊盘分别焊接在所述电阻片的两端；以及至少一个调试孔，所述至少一个调试孔位于所述电阻片的表面上，并穿过所述顶层金属地或所述底层金属地。2.如权利要求1所述的埋置电阻，其特征在于，所述至少一个调试孔包括一个调试孔，所述一个调试孔位于所述电阻片的上表面上，并穿过所述顶层金属地。3.如权利要求1所述的埋置电阻，其特征在于，所述至少一个调试孔包括一个调试孔，所述一个调试孔位于所述电阻片的下表面上，并穿过所述底层金属地。4.如权利要求1所述的埋置电阻，其特征在于，所述至少一个调试孔包括多个调试孔，所述多个调试孔位于所述电阻片的上表面上或下表面上，并相应地穿过所述顶层金属地或所述底层金属地。专利摘要本技术提出了一种埋置电阻，包括顶层金属地和底层金属地；第一介质层和第二介质层；电阻片，所述电阻片位于所述第一介质层和所述第二介质层之间；两个金属焊盘，所述两个金属焊盘分别焊接在所述电阻片的两端；以及至少一个调试孔，所述至少一个调试孔位于所述电阻片的表面上，并穿过所述顶层金属地或所述底层金属地。本技术的有益效果是可通过调试孔对埋置电阻进行调试，达到所需阻值，减小电阻容差。文档编号H01C1/16GK202977031SQ20122067805公开日2013年6月5日 申请日期2012年11月29日 优先权日2012年11月29日专利技术者臧玉华, 单光祥, 满起祥, 杨传超, 马振刚, 黄运河, 马欣, 祁海霞 申请人:青岛瑞丰气体有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种埋置电阻，其特征在于，包括：顶层金属地和底层金属地；第一介质层和第二介质层；电阻片，所述电阻片位于所述第一介质层和所述第二介质层之间；两个金属焊盘，所述两个金属焊盘分别焊接在所述电阻片的两端；以及至少一个调试孔，所述至少一个调试孔位于所述电阻片的表面上，并穿过所述顶层金属地或所述底层金属地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：臧玉华，单光祥，满起祥，杨传超，马振刚，黄运河，马欣，祁海霞，
申请(专利权)人：青岛瑞丰气体有限公司，
类型：实用新型
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