电光装置以及电子设备制造方法及图纸

技术编号:8774581 阅读:233 留言:0更新日期:2013-06-08 18:20
本发明专利技术提供电光装置以及电子设备,在与扫描线和数据线的交叉对应设置的像素电路中,使屏蔽布线(1)从与和上述像素电路邻接的像素电路连接的固定电位布线延伸配置至上述数据线的下部。以上述屏蔽布线的至少一部分与上述数据线交叉的方式形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及例如像素电路微细化时有效的电光装置以及电子设备
技术介绍
近些年,提出了各种使用了有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,以下称“OLED”)元件等发光元件的电光装置。在该电光装置中,一般构成为与扫描线和数据线的交叉对应,且与应显示的图像的像素对应地设置包含上述发光元件、晶体管等的像素电路。使用了 OLED的像素电路一般由决定能否从数据线输入数据信号的写入晶体管,和以该信息为基础决定向OLED供给的电流量的驱动晶体管构成。另外,像素电路具备对从数据线供给的数据信号进行保持的保持电容。并且,有以高画质化为目的,利用了更多的元件的技术(例如参照专利文献I)。专利文献1:日本特开2003-271095号公报然而,若在上述的像素电路的构成中进行实际驱动,则因数据线的电位变动而产生噪声。以驱动晶体管的栅极-源极间的电压决定向OLED供给的电流,所以若该噪声影响驱动晶体管的栅极节点、源极节点,则不能够显示准确的亮度,产生不均。特别是在以狭窄间距配置像素电路,不能够使与栅极节点连接的保持电容较大的情况下,成为大问题。在以往的构造中,经由寄生电容,数据线的噪声传播至驱动晶体管的栅极以及源极节点。由此,蓄积在保持电容的数据信号变化,经由驱动晶体管向OLED元件供给的电流也同样变化。该变化量被视觉确认为亮度不均,导致显示品质降低。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述情况完成的,解决课题之一为降低伴随数据线的电位变动的画质劣化。为了解决上述课题,在本专利技术所涉及的电光装置的特征在于,具有:相互交叉的多个扫描线以及多个数据线;与上述扫描线和上述数据线的交叉对应设置的多个像素电路;与上述多个像素电路的每一个对应设置且供给规定的电位的固定电位布线;与上述固定电位线电连接的屏蔽布线,上述多个像素电路每一个具备:发光元件;对流过上述发光元件的电流进行控制的驱动晶体管;被连接于上述驱动晶体管的栅极和上述数据线之间,且根据向上述扫描线供给的扫描信号被控制导通状态的开关晶体管,上述屏蔽布线从与该像素电路的相邻的像素电路对应的固定电位布线延伸配置至该像素电路的数据线的下部而形成,上述屏蔽布线的至少一部分与上述数据线交叉。根据本专利技术,屏蔽布线从相邻的像素电路的固定电位布线延伸配置至产生噪声的数据线的下部,屏蔽布线的至少一部分与数据线交叉。因此,在该交叉位置,在数据线和屏蔽布线之间形成平行平板电容。因此,从数据线向驱动晶体管的栅极的电场强度变弱,大幅降低形成于数据线与驱动晶体管的栅极之间的寄生电容。其结果,驱动晶体管的栅极从数据线受到的噪声的影响减少,得到高显示品质。此外,也可以将屏蔽线的端部延伸配置在比数据线靠近驱动晶体管的栅极,或还可以设置至数据线的宽度方向的中途。另外,虽然产生向屏蔽布线自身的噪声的施加,但该屏蔽布线从接下来写入映像信号的邻接像素电路的固定电位布线延伸配置,所以不影响自身像素电路的显示品质。另夕卜,即便相邻的像素电路受到噪声引起的变动,在下一定时也写入标准的映像信号,所以能够抑制对显示品质的影响。在本专利技术中,优选在将上述屏蔽布线和上述数据线交叉的区域作为交叉区域时,将上述驱动晶体管的栅极配置在上述交叉区域的上述数据线的长边方向的宽度内。在该构成中,在交叉区域形成平行平板电容,驱动晶体管的栅极被配置在交叉区域的数据线的长边方向的宽度内,所以从数据线向处于平行平板电容附近的想要保护的驱动晶体管的栅极的电场强度变弱,大幅降低形成于数据线与驱动晶体管的栅极之间的寄生电容,防止向驱动晶体管的栅极的噪声的施加。在本专利技术中,也可以是上述屏蔽布线形成于比上述数据线靠下层,并且形成于与上述驱动晶体管的栅极同层或比其靠上层的布线层。根据该构成,平行平板电容优先在上述布线层和数据线之间形成。因此,若在与想要保护的驱动晶体管的栅极同层或者比其靠上层的布线层形成屏蔽布线,则大部分的寄生电容形成为上述平行平板电容,得到更高噪声抑制效果。在本专利技术的电光装置的特征在于,是具备具有第I发光元件的第I像素电路,和具有沿第I方向配置在上述第I发光元件的旁边的第2发光元件的第2像素电路的电光装置,具有:沿与上述第I方向交叉的第2方向配置,且与上述第I像素电路电连接的第I固定电位布线;沿上述第2方向配置,且与上述第I像素电路电连接的第I数据线;沿上述第2方向配置,且与上述第2像素电路电连接的第2固定电位布线;沿上述第2方向配置,且与上述第2像素电路电连接的第2数据线;与上述第I像素电路电连接,且对流过上述第I发光元件的电流进行控制的驱动晶体管;与上述第2固定电位布线连接的布线,其中,从与上述第I方向以及上述第2方向垂直的第3方向观察,上述第I数据线以及上述布线重合。根据本专利技术,从与第I方向以及第2方向垂直的第3方向观察,与第2像素电路的第2固定电位布线连接的布线和产生噪声的第I像素电路的第I数据线重合。因此,在该重合位置,且在第I数据线和上述布线之间形成平行平板电容。因此,从第I数据线向驱动晶体管的栅极的电场强度变弱,形成于第I数据线与驱动晶体管的栅极之间的寄生电容大幅减少。其结果,降低驱动晶体管的栅极从第I数据线受到的噪声的影响,得到高显示品质。此外,可以将上述布线的端部延伸配置在比第I数据线靠近驱动晶体管的栅极,或也可以延伸配置至第I数据线的宽度方向的中途。另外,产生向上述布线自身的噪声的施加,但上述布线从接下来写入映像信号的第2像素电路的第2固定电位布线延伸配置,所以不影响自身像素电路的显示品质。另外,即便第2像素电路受到噪声引起的变动,在下一定时也写入标准的映像信号,所以能够抑制对显示品质的影响。在本专利技术中,也可以是上述第I发光元件包含第I像素电极、与上述第I像素电极对置配置的对置电极和配置于上述第I像素电极和上述对置电极之间的有机发光层,上述第I像素电路具有被设置于上述驱动晶体管的栅极电极和上述第I栅极线之间的开关晶体管、和连接上述驱动晶体管的栅极电极和上述开关晶体管的中继电极,从上述第I方向看,将上述中继电极配置在上述布线的宽度内。在该构成中,在上述布线和上述第I数据线的重合区域形成平行平板电容,从第I方向看,使驱动晶体管的栅极电极和开关晶体管连接的中继电极被配置在上述布线的宽度内,所以从数据线向处于平行平板电容附近的想要保护的驱动晶体管的栅极的电场强度变弱,大幅降低形成于第I数据线与驱动晶体管的栅极之间的寄生电容,防止向驱动晶体管的栅极的噪声的施加。在本专利技术中,也可以将上述中继电极配置在上述第I数据线和上述驱动晶体管的栅极电极之间的层。另外,也可以将上述中继电极配置在与上述驱动晶体管的栅极电极同层。并且,在本专利技术中,也可以为上述第I发光元件和上述第2发光元件射出不同波长的光。此外,本专利技术除了涉及电光装置外,还可以涉及电光装置的驱动方法、具有该电光装置的电子设备。作为电子设备,能够列举典型的头戴式显示器(HMD)、电子取景器等显示>j-U ρ α装直。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式所涉及的电光装置的构成的立体图。图2是表示该电光装置的构成的框图。图3是表示该电光装置中的像素电路的图。图4是表示该电光装置的动作的时序图。图5是表示该电光装置的像素电路的构成的俯视图。图6是表示以图5中的A 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光装置,其特征在于,是具备具有第1发光元件的第1像素电路,和具有沿第1方向配置在所述第1发光元件的旁边的第2发光元件的第2像素电路的电光装置,其具有:沿与所述第1方向交叉的第2方向配置,且与所述第1像素电路电连接的第1固定电位布线;沿所述第2方向配置,且与所述第1像素电路电连接的第1数据线;沿所述第2方向配置,且与所述第2像素电路电连接的第2固定电位布线;沿所述第2方向配置,且与所述第2像素电路电连接的第2数据线;对流过所述第1发光元件的电流进行控制的驱动晶体管;与所述第2固定电位布线连接的布线,其中,从与所述第1方向以及所述第2方向垂直的第3方向观察,所述第1数据线以及所述布线重合。

【技术特征摘要】
2011.12.05 JP 2011-2655031.一种电光装置,其特征在于, 是具备具有第I发光元件的第I像素电路,和具有沿第I方向配置在所述第I发光元件的旁边的第2发光元件的第2像素电路的电光装置,其具有: 沿与所述第I方向交叉的第2方向配置,且与所述第I像素电路电连接的第I固定电位布线; 沿所述第2方向配置,且与所述第I像素电路电连接的第I数据线; 沿所述第2方向配置,且与所述第2像素电路电连接的第2固定电位布线; 沿所述第2方向配置,且与所述第2像素电路电连接的第2数据线; 对流过所述第I发光元件的电流进行控制的驱动晶体管; 与所述第2固定电位布线连接的布线, 其中,从与所述第I方向以及所述第2方向垂直的第3方向观察,所述第I数据线以及所述布线重合。2.根据权利要求1所述的电光装置,其特征在于, 所述第I发光元件包含第I像素电极、与所述第I像素电极对置配置的对置电极、和配置在所述第I像素电极和所述对置电极之间的有机发光层, 所述第I像素电路具有设置于所述驱动晶体管的栅极电极和所述第I栅极线之间的开关晶体管、和连接所述驱动晶体管的栅极电极和所述开关晶体管的中继电极, 从所述第I方向观察,所述中继电极被配置在所述布线的宽度内。3.根据权利要求2所述的电光装置,其特征在于, 所述中继电极被配置于所述第I数据线和所述驱动晶体管的栅极电极...

【专利技术属性】
技术研发人员:藤田伸北泽幸行
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社
类型:发明
国别省市:

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