一种制备Cu2O薄膜的方法技术

技术编号:8761573 阅读:179 留言:0更新日期:2013-06-06 23:12
本发明专利技术提供一种在蓝宝石衬底上制备Cu2O单晶薄膜的方法,包括:在蓝宝石衬底上沉积MgO缓冲层;在MgO缓冲层上沉积Cu2O单晶薄膜。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在蓝宝石衬底上制备Cu2O薄膜的方法,包括:1)在蓝宝石衬底上沉积MgO缓冲层;2)在MgO缓冲层上沉积Cu2O薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:叶大千梅增霞李俊强刘尧平杜小龙
申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1