【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米材料技术，特别是一种可应用于高性能场发射器件、超级电容以及电化学能量存储装置的正交晶系三氧化钥(a -MoO3)纳米棒的制备方法。
技术介绍
MoO3有正交晶系MoO3 ( α _Μο03)、单斜晶系MoO3 ( β -MoO3)以及六方晶系MoO3，其中α-ΜΟ03是热力学稳定相。正交相MoO3是一种宽禁带半导体材料(Eg=3.05eV)，是由畸变[MoO6]八面体在一个方向上共边相连，在另一个方向上共顶点相连形成一个二维无限伸展的平面层，层与层之间通过弱的范德华力结合，其层状晶格结构和框架中存在四面体、八面体空穴和广延的通道，可作为离子的嵌入位置和流通渠道。近年来，形貌各向异性的一维过渡金属氧化物纳米材料(如纳米棒、纳米线、纳米带及纳米管)及其多尺度自组装体系，以其独特的光学、磁学和电学等特性而备受关注。结构各向异性的C1-MoO3—维纳米结构材料，如纳米线、纳米棒、纳米带和纳米片，具有显著的场发射性能、光致发光性能、光致变色性能、电致变色性能、可逆光色性能、气敏性能，在场发射显示器件、催化剂材料、电化学储能器件、电化学显色材料、电催化材料...
【技术保护点】
一种三氧化钼纳米棒的制备方法，其特征在于，采用两步扩散脉冲激光沉积技术，以α?MoO3为靶材，借助脉冲激光器，改变沉积参数，未添加模板和催化剂，在衬底上沉积α?MoO3纳米棒阵列，具体包括以下步骤：步骤1、对单晶硅衬底进行表面清洗处理；步骤2、将表面清洗干净的衬底固定在真空生长腔内的衬底支架上，安装α?MoO3靶材，并使衬底正面与靶材保持正对；步骤3、使用机械泵和分子泵对真空生长腔抽真空，真空生长腔抽真空后的本底真空度小于或等于1×10?6Torr；步骤4、利用卤钨灯作为有效无污染的衬底加热器，将衬底温度加热到预定的温度；之后向真空室内通入工作气体，并保持气压稳定；步骤5、...
【技术特征摘要】
1.一种三氧化钥纳米棒的制备方法，其特征在于，采用两步扩散脉冲激光沉积技术，以a -MoO3为靶材，借助脉冲激光器，改变沉积参数，未添加模板和催化剂，在衬底上沉积a -MoO3纳米棒阵列，具体包括以下步骤: 步骤1、对单晶硅衬底进行表面清洗处理； 步骤2、将表面清洗干净的衬底固定在真空生长腔内的衬底支架上，安装a -MoO3靶材，并使衬底正面与靶材保持正对； 步骤3、使用机械泵和分子泵对真空生长腔抽真空，真空生长腔抽真空后的本底真空度小于或等于I X ICT6Torr ； 步骤4、利用卤钨灯作为有效无污染的衬底加热器，将衬底温度加热到预定的温度；之后向真空室内通入工作气体，并保持气压稳定； 步骤5、使用准分子脉冲激光源，通过激光烧蚀MoO3靶材，衬底正面正对等离子体羽，控制激光的能量密度、脉冲频率、工作气压、衬底温度和沉积时间这些工艺参数，在正对靶材的衬底上预先沉积MoO3籽晶层； 步骤6、MoO3籽晶层生长一段时间后，翻转衬底，使衬底正面背对靶材和等离子羽辉的传播方向，进一步调整沉积工艺参数，通过扩散脉冲激光沉积方法在MoO3籽晶层上继续生长，制备均一的a -MoO3纳米棒； 步骤7、沉积结束后，关闭...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹友生，张亦弛，汪海鹏，楼东，董宇辉，窦康，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：
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