三维花状水杨酸根插层层状氢氧化物纳米材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种三维花状水杨酸根插层的层状氢氧化物纳米材料及其制备方法。该材料是颗粒均匀的纳米粉末，其直径在1-2um，其微观结构为花状结构，花瓣为均匀生长的纳米薄片，该纳米片的厚度为5-20nm。该材料的制备方法是可溶性二价金属盐和可溶性铝盐的混合盐溶液与水杨酸盐溶液混合，同时用碱溶液调节pH=6.5-7.5；在静置状态下于120-160℃水热晶化12-72h；洗涤、干燥，得到三维花状结构水杨酸根插层层状金属氢氧化物纳米材料。所采用的水热法制备，得到的材料纳米颗粒均匀，花瓣均为均匀生长的薄片。本发明专利技术具有原料易得，设备工艺简单，无需导向剂或修饰剂，高效快速，产率高等特点，适合大规模工业生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无机纳米材料合成领域，具体涉及一种三维花状水杨酸根插层的层状氢氧化物纳米材料及其制备方法。
技术介绍
近年来，控制合成三维纳米材料(three-dimensional nanomaterials) 一直是材料科学研究的热点之一。由于其具有的一些特殊的物理化学性质，将会在电磁学、电子学、催化、水处理和能源存储方面有很好的应用前景。层状金属氢氧化物是一类典型的阴离子型层状材料，由相互平行且带正电荷的层板组成，层间由平衡阴离子及水分子构成。此类材料由于其独特的晶体结构和物化特性使其在离子交换、吸附、催化、高分子改性、光学材料、磁学材料、电学材料等许多领域展现出极为广阔的应用前景。目前，成功的合成三维有序的层状金属氢氧化物花状纳米材料的报道有文献:L.Wang 等人 Hui Wang et al, Ind.Eng.Chem.Res.2010，49:2759 - 2767，以海藻酸钠为导向剂制备了花状碳酸根插层的N1-Al双金属氢氧化物纳米材料。文献:Deyi Wang等人 DY Wang et al, Trans.Nanoferrous Met.Soc.China, 2009本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维花状水杨酸根插层的层状氢氧化物纳米材料，其化学通式为：[M2+1?xM3+x(OH)2]X+(An?)x/n·mH2O，其中M2+为二价金属阳离子Co2+、Ni2+中的一种或两种、M3+为三价金属阳离子Al3+，An?为层间阴离子CO32?，NO3?，Cl?；X为M3+/(M2++M3+)的摩尔比值，且0≤X<0.5；m为层间自然形成的结晶水分子数；该材料是颗粒均匀的纳米粉末，其直径在1?2μm，其微观结构为花状结构，花瓣为均匀生长的纳米薄片，该纳米片的厚度为5?20nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王连英，洪玲，宋莹莹，何静，
申请(专利权)人：北京化工大学，
类型：发明
国别省市：