一种充电过流保护电路制造技术

技术编号:8700739 阅读:278 留言:0更新日期:2013-05-13 04:24
本实用新型专利技术公开了一种充电过流保护电路,包括串联在充电回路负端的侦测电阻,其特征在于该侦测电阻的两端分别与一放大器的输入端连接,该放大器的输出端与比较器的一个输入端连接,该比较器的另一输入端与一基准电压连接,充电回路的正端串接一充电控制模块,该充电控制模块设有输入端、输出端和控制端,该充电控制模块的控制端与比较器的输出端连接。本实用新型专利技术的优点在于在充电电流过大时,该保护电路关断充电回路,从而对整个电池系统进行保护,避免损坏电芯以及电路板。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路设计领域中的锂离子电池管理电路,具体为一种7到10串锂离子电池管理系统的充电过流保护电路
技术介绍
在给锂离子电池充电时,电流过大会对电芯造成损害,另外如果电流过大也会导致充电回路烧坏,所以,有必要在充电回路增加过流保护功能,而目前市场上所使用的高串电池保护芯片很少集成此项保护功能。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种充电过流保护电路,在充电电流过大时,该保护电路关断充电回路,从而对整个电池系统进行保护,避免损坏电芯以及电路板。为了实现这一目的,本技术的技术方案如下:一种充电过流保护电路,包括串联在充电回路负端的侦测电阻,其特征在于该侦测电阻的两端分别与一放大器的输入端连接,该放大器的输出端与比较器的一个输入端连接,该比较器的另一输入端与一基准电压连接,充电回路的正端串接一充电控制模块,该充电控制模块设有输入端、输出端和控制端,该充电控制模块的控制端与比较器的输出端连接。根据本技术的一个实施例,该充电控制模块包括一充电MOS管,该充电MOS管的漏极为该充电控制模块的输入端,该充电MOS管的源极为该充电控制模块的输出端,在该充电MOS管的源极和栅极之间连接有一 P沟道MOS管,该P沟道MOS管的栅极与三极管的集电极连接,该三极管的发射极接地,该三极管的基极与比较器的输出端连接。如果充电电流过大,比较器的输出会给出关断充电控制模块的信号。当没有充电过流发生时,放大器的输出电压不会高于预先设置好的比较电压,比较器输出为低电平,三极管不导通,P沟道MOS管不会导通,充电MOS管不会受该保护电路影响;当有过电流发生时,侦测电阻两端电压变大,被放大的电压也升高,进入到比较器正向输入端的电压升高,当该电压高于比较器的反向端预设好的电压时,比较器输出为高电平,三极管导通,P沟道MOS管导通,强行将充电MOS管关断,进而关断充电回路。因此,本技术的优点在于在充电电流过大时,该保护电路关断充电回路,从而对整个电池系统进行保护,避免损坏电芯以及电路板。附图说明图1为本技术的电路图。图2为图1的局部放大图图3为充电控制模块的电路图。具体实施方式如图所示,一种充电过流保护电路,包括串联在充电回路负端的侦测电阻Rsense,其特征在于该侦测电阻Rsense的两端分别与一放大器ICl (LM358)的两个输入端连接,其中该侦测电阻靠近电芯端通过一个电阻R2连接到该放大器ICl的同向输入端,另一端通过电阻Rl连接到该放大器ICl的反向输入端,在该放大器ICl的反响输入端和输出端之间连接有负反馈电阻R3,在同向输入端使用电阻R20上拉至3.3V电压,用于提高基准电压,使得放大器ICl输出电压基准提高。该放大器ICl的输出端通过限流电阻R5与比较器IC2(LM358)的同向输入端连接,该比较器IC2的反向输入端与一基准电压连接,该基准电压通过电阻R6、R7将标准电压3.3V电压分压而得到,分压后的电压通过电阻R4连接到比较器IC2的反响输入端,作为参考比较电压,与侦测电阻Rsense两端放大后的电压进行比较,t匕较器IC2的输出端用以控制串联在充电回路的正端的充电控制模块I。该充电控制模块I包括一充电MOS管Q13,该充电MOS管Q13的漏极为该充电控制模块I的输入端,该充电MOS管Q13的源极为该充电控制模块I的输出端,在该充电MOS管Q13的源极和栅极之间连接有一 P沟道MOS管Q15,该P沟道MOS管Q15的栅极与三极管Q14的集电极连接,该三极管Q14的发射极接地,该三极管Q14的基极为该充电控制模块I的控制端,与比较器IC2的输出端连接。 如图所示,比较器IC2的输出端通过电阻R9连接至三极管Q14基极,在三极管Q14基极和发射极间加偏置电阻R8,将三极管Q14发射极接地,该三极管Q14的集电极通过电阻RlO连接至P沟道MOS管Q15的栅极,Q15的漏极连接至充电MOS管Q13的栅极,Q15的源极连接至Q13的源极,Q13为串联在充电回路正端的充电控制管。图中,在该充电MOS管Q13的源极和栅极之间还连接有抗干扰电容C57,防止干扰信号导致充电MOS误动作,图2中的电容C51,C52,C53起滤波作用。比较器IC2的反向输入端的基准电压V- =3.3*R7/(R6 + R7),电压放大器ICl输出电压Vo如果大于V-则比较器输出电压翻转为高电平。通过计算可得电压放大器ICl输出电压的大小为:Vo = (R3/R1+1)* / (R2+R20) + I*Rsense* R3/R1由上面两个等式可知,可以通过选择恰当的Rsense,Rl,R2,R3,R20, R6,R7来满足不同电池系统对充电电流最大值的要求。权利要求1.一种充电过流保护电路,包括串联在充电回路负端的侦测电阻,其特征在于该侦测电阻的两端分别与一放大器的输入端连接,该放大器的输出端与比较器的一个输入端连接,该比较器的另一输入端与一基准电压连接,充电回路的正端串接一充电控制模块,该充电控制模块设有输入端、输出端和控制端,该充电控制模块的控制端与比较器的输出端连接。2.按权利要求1的充电过流保护电路,其特征在于该充电控制模块包括一充电MOS管,该充电MOS管的漏极为该充电控制模块的输入端,该充电MOS管的源极为该充电控制模块的输出端,在该充电MOS管的源极和栅极之间连接有一 P沟道MOS管,该P沟道MOS管的栅极与三极管的集电极连接,该三极管的发射极接地,该三极管的基极与比较器的输出端连接。3.按权利要求2的充电过流保护电路,其特征在于在三极管基极和发射极间加偏置电阻,该三极管的集电极通过电阻连接至P沟道MOS管的栅极,P沟道MOS管的漏极连接至充电MOS管的栅极,P沟道MOS管的源极连接至充电MOS管的源极。4.按权利要求2的充电过流保护电路,其特征在于在该充电MOS管的源极和栅极之间还连接有抗干扰电容。专利摘要本技术公开了一种充电过流保护电路,包括串联在充电回路负端的侦测电阻,其特征在于该侦测电阻的两端分别与一放大器的输入端连接,该放大器的输出端与比较器的一个输入端连接,该比较器的另一输入端与一基准电压连接,充电回路的正端串接一充电控制模块,该充电控制模块设有输入端、输出端和控制端,该充电控制模块的控制端与比较器的输出端连接。本技术的优点在于在充电电流过大时,该保护电路关断充电回路,从而对整个电池系统进行保护,避免损坏电芯以及电路板。文档编号H02H7/18GK202930919SQ201220610558公开日2013年5月8日 申请日期2012年11月19日 优先权日2012年11月19日专利技术者胡建东 申请人:萨康电子(上海)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种充电过流保护电路,包括串联在充电回路负端的侦测电阻,其特征在于该侦测电阻的两端分别与一放大器的输入端连接,该放大器的输出端与比较器的一个输入端连接,该比较器的另一输入端与一基准电压连接,充电回路的正端串接一充电控制模块,该充电控制模块设有输入端、输出端和控制端,该充电控制模块的控制端与比较器的输出端连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡建东
申请(专利权)人:萨康电子上海有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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