一种氮氧化物气敏传感器元件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种氮氧化物气敏传感器元件，包括硅基片衬底（1）、铂电极（3），其特征在于，所述硅基片衬底（1）与铂电极（3）之间设置有多孔硅敏感层（2）；所述多孔硅敏感层（2）是利用双槽电化学腐蚀法在硅片的抛光表面制备而成。本实用新型专利技术传感器首创采用孔径在100~200nm，兼有孔隙率高和孔洞高度有序排列的硅基多孔硅作为气敏材料，实现气体的快速吸/脱附；对于低浓度氮氧化物气体具有响应/恢复时间短、稳定性好、体积小巧、结构简单、制作工艺成熟、使用方便、价格低廉的特点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种气敏传感器的，尤其涉及一种适用于检测氮氧化物气体的多孔硅气敏传感器元件。
技术介绍
现代工业飞速发展的同时不断给生态环境带来了严重的污染，工业废气、汽车尾气产生的氮氧化物气体(NOx)作为有毒有害气体，是酸雨和光化学烟雾的主要来源，对人类健康产生了极大的危害，已经受到世界范围内越来越广泛的关注与重视。各国纷纷制定相关政策和监控标准，根据意大利的标准，环境中NO2浓度应低于lOOppb，我国规定的标准上限约为120ppb。随着人们环保意识的增强，安全生产要求的提高，急需能够有效监控和检测低浓度氮氧化物气体的高性能气敏传感器。目前现行的对氮氧化物气体进行检测的主流产品仍然以传统加热式的陶瓷烧结型、厚膜型半导体气敏传感器为主，体积大、功耗高且难于集成，在低浓度气体探测方面难以达到更高要求，这就为实现微小型化、集成化、低功耗的传感器技术的发展增加了复杂性和不稳定性。目前，实现对低浓度氮氧化物气体的室温探测仍然是一项极富挑战性的课题。多孔硅是一种孔径尺寸、孔道深度可调的多孔性结构材料，因易于与硅芯片电路集成而引起人们的广泛兴趣。自1956年被发现以来，由于其特殊的多孔性微结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮氧化物气敏传感器元件，包括硅基片衬底（1）、铂电极（3），其特征在于，所述硅基片衬底（1）与铂电极（3）之间设置有多孔硅敏感层（2）；?所述硅基片衬底（1）为2.2cm×0.8cm的矩形硅基片衬底。

【技术特征摘要】
1.种氮氧化物气敏传感器元件，包括硅基片衬底(I)、钼电极(3)，其特征在于，所述硅基片衬底(I)与钼电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡明，李明达，马双云，闫文君，曾鹏，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：实用新型
国别省市：